[发明专利]一种制备半导体粉末薄膜光电极的方法在审
| 申请号： | 201710145260.1 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN106807601A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈卓元;李亨特;刘星辰;李坤;荆江平;孙萌萌;孙晓英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院海洋研究所 |
| 主分类号： | B05D1/02 | 分类号： | B05D1/02;B05D3/00;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 李颖,周秀梅 |
| 地址： | 266071*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 粉末 薄膜 电极 方法 | ||
1.一种制备半导体粉末薄膜光电极的方法，其特征在于：将含有半导体材料的悬浊液，采用喷枪以15-350mL/min速率利用虹吸效应将半导体材料悬浊液喷涂至导电基体表面，待溶剂蒸发后即形成均匀致密结合力良好的半导体粉末薄膜光电极。
2.按权利要求1所述的制备半导体粉末薄膜光电极的方法，其特征在于：所述采用喷枪以15-350mL/min速率利用虹吸效应将半导体材料悬浊液喷涂至经加热至20-450℃的导电基体表面。
3.按权利要求1或2所述的制备半导体粉末薄膜光电极的方法，其特征在于：所述含有半导体材料的悬浊液为将料粒径在0.1-10μm半导体材分散至溶剂中，获得悬浊液待用。
4.按权利要求3所述的制备半导体粉末薄膜光电极的方法，其特征在于：所述溶剂为水、乙醇、丙酮或乙醚。
5.按权利要求3所述的制备半导体粉末薄膜光电极的方法，其特征在于：所述料粒径在0.1-10μm半导体材为TiO2、ZnO、SnO2、ZrO2、Cu2O、C3N4、Fe2O3、CdS、CdSe、CdTe、PdS、PbSe、PdTe、Bi2S3、Bi2Se3、Bi2Te3、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、InAs、InGaAs和InP中的一种或几种。
6.按权利要求5所述的制备半导体粉末薄膜光电极的方法，其特征在于：所述半导体材中还掺杂改性的粉末态半导体材料。
7.按权利要求1或2所述的制备半导体粉末薄膜光电极的方法，其特征在于：所述导电基体为导电玻璃或金属。
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