[发明专利]静电卡盘和包括其的衬底处理装置有效
申请号: | 201710145255.0 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN107195568B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 金珉成;朴明修;成德镛;全允珖 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 包括 衬底 处理 装置 | ||
一种衬底处理装置包括静电卡盘,该静电卡盘由底座、底座上的电介质板、电介质板中的卡盘电极和电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分组成。第一加热器部分包括在第一方向上彼此分开的第一加热器,以及设置在第一加热器与底座之间的各个第一上板电极。第一上板电极在第一方向上彼此分开并且分别连接到第一加热器。
技术领域
描述的示例性实施方式涉及用于制造半导体器件的装置,且更具体地,涉及用于保持衬底的静电卡盘和衬底处理装置。
背景技术
通常,半导体器件通过应用多个单元工艺被制造。单元工艺可以包括薄膜沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺。等离子体可以主要用于执行薄膜工艺和蚀刻工艺。等离子体可以在高温下处理衬底。静电卡盘可以通过静电电压保持高温衬底。
发明内容
公开的示例性实施方式提供能够将衬底加热为具有极其稳定的或均匀的温度分布的一种静电卡盘和一种衬底处理装置。
根据示例性实施方式,一种静电卡盘可以包括:底座;在底座上的电介质板;在电介质板中的卡盘电极;以及在电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分。第一加热器部分可以包括:在第一方向上彼此分开的多个第一加热器;以及在所述多个第一加热器与底座之间的多个第一上板电极。所述多个第一上板电极可以在第一方向上彼此分开并且分别连接到所述多个第一加热器。
根据示例性实施方式,一种衬底处理装置可以包括:腔室;以及构造为在腔室中保持衬底的静电卡盘。静电卡盘可以包括:底座;在底座上的电介质板;在电介质板中的卡盘电极;以及在电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分。第一加热器部分可以包括:在第一方向上彼此分开的多个第一加热器;以及在所述多个第一加热器与底座之间的多个第一上板电极。所述多个第一上板电极可以在第一方向上彼此分开并且分别连接到所述多个第一加热器。
附图说明
图1示出根据示例性实施方式的衬底处理装置。
图2和3示出图1的静电卡盘的一示例。
图4示出图2的金属底座的一示例。
图5示出图2的下加热器部分的一示例。
图6示出图2的上加热器部分的一示例。
图7示出图1的静电卡盘的一示例。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出各种示例性实施方式的附图更充分地描述本公开。然而,本发明可以以许多不同的形式被体现,并且不应被解释为限于在此陈述的示例性实施方式。这些示例性实施方式仅仅是示例,并且不需要在此提供的细节的许多实现和变化是可能的。还应强调的是,本公开提供替代示例的细节,但是这样的替代的列表不是穷举的。此外,各种示例性实施方式之间的细节的任何一致性不应被解释为需要这样的细节—为在此描述的每个特征列出每个可能的变化是不切实际的。权利要求的语言应在确定本发明的要求方面被参考。
虽然在此描述的附图可以使用诸如“一种实施方式”或“某些实施方式”的语言被引用,但是这些附图及其相应的描述不旨在与另外的附图或描述互相排斥,除非上下文如此指示。因此,来自某些附图的某些方面可以与另外的附图中的某些特征相同,和/或某些附图可以是特定示例性实施方式的不同表现或不同部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造