[发明专利]半导体存储装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的制作方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成多个位线结构，其中各该位线结构沿一第一方向延伸；

在各该位线结构的侧壁上形成一第一间隙壁；

在该半导体基底上形成多个存储节点接触；

形成一导电层覆盖该多个位线结构、该第一间隙壁以及该多个存储节点接触；

对该导电层进行一第一图案化制作工艺，用以形成多个条状接触结构，其中各该条状接触结构沿该第一方向延伸且对应多个该存储节点接触，位于各该位线结构于一第二方向上的一第一侧的该第一间隙壁被该第一图案化制作工艺暴露出，而位于各该位线结构于该第二方向上与该第一侧相对的一第二侧的该第一间隙壁被该多个条状接触结构覆盖；以及

将被该第一图案化制作工艺暴露出的该第一间隙壁移除而形成多个第一空气间隙壁；以及

在该多个第一空气间隙壁形成之后，对该多个条状接触结构进行一第二图案化制作工艺，用以形成多个存储节点接触垫，其中该多个存储节点接触垫中的一个对应一个该存储节点接触，且各该存储节点接触垫与对应的该存储节点接触电连接，

其中该第一方向为该多个位线结构的延伸方向，该第二方向为该多个位线结构的排列方向。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，其中各该第一空气间隙壁于该第一方向上的长度大于各该存储节点接触垫于该第一方向上的长度。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，其中位于各该位线结构的该第二侧的该第一间隙壁部分被该多个存储节点接触垫覆盖。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在该多个存储节点接触垫形成之后，将位于各该位线结构的该第二侧且未被该多个存储节点接触垫覆盖的该第一间隙壁移除而形成多个第二空气间隙壁，其中至少部分的该多个第二空气间隙壁沿该第一方向重复排列，且部分的该第一间隙壁位于该第一方向上相邻的该多个第二空气间隙壁之间。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置的制作方法，其中各该第二空气间隙壁于该第一方向上的长度小于各该第一空气间隙壁于该第一方向上的长度。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，其中各该第一空气间隙壁沿该第一方向延伸。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，其中该第一图案化制作工艺包括：

对该导电层进行蚀刻而形成该多个条状接触结构；

在该多个条状接触结构形成之后，形成一介电层覆盖该多个条状接触结构；以及

对该介电层进行一回蚀刻制作工艺，用以暴露出位于各该位线结构的该第一侧的该第一间隙壁。

8.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在该半导体基底上形成至少一个栅极结构，其中该半导体基底上定义有一存储单元区以及一周围区，该多个位线结构以及该多个存储节点接触位于该存储单元区，该栅极结构位于该周围区，而该导电层还覆盖该栅极结构。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置的制作方法，其中位于该栅极结构上的该导电层被该第一图案化制作工艺图案化而形成一栅极接触结构。

10.如权利要求8所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在该第一图案化制作工艺之后，对该栅极结构上的该导电层进行图案化而形成一栅极接触结构。

11.如权利要求1所述的半导体存储装置的制作方法，还包括：

在各该位线结构的该侧壁上形成一第二间隙壁以及一第三间隙壁，其中该第二间隙壁位于该第一间隙壁与该位线结构之间，且该第一间隙壁位于该第二间隙壁与该第三间隙壁之间。

12.如权利要求11所述的半导体存储装置的制作方法，其中该第一间隙壁包括氧化物，而该第二间隙壁与该第三间隙壁分别包括氮化物。