[发明专利]封装堆叠结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种包括第一封装结构及第二封装结构的封装堆叠结构。第一封装结构包括第一载板、第一芯片、第一绝缘密封体、导电结构、晶种层以及线路层。载板接垫、第一芯片、第一绝缘密封体以及导电结构位于第一载板的第一表面上。第一绝缘密封体包括第一开孔以及沟渠。第一绝缘密封体包括封装胶以及分散于封装胶中的填充物以及金属盐类。晶种层包括金属盐类还原的金属，且配置于第一开孔以及沟渠的表面。线路层配置于晶种层上。第二封装结构与线路层电性连接。此外，本发明还提供一种封装堆叠结构的制造方法。

技术领域

本发明涉及一种封装堆叠结构及其制造方法，尤其涉及一种使用具有金属盐类的绝缘封装体的封装堆叠结构及其制造方法。

背景技术

近年来，随着封装件的体积越来越小，多芯片堆叠的半导体封装结构，例如堆叠式封装(package on package，PoP)的应用也快速地成长。

现有的堆叠式封装是将不同的芯片封装单元相互堆叠，并在这些芯片封装单元之间夹置中介层。举例来说，将存储器芯片封装单元堆叠于中介层上，并在中介层上堆叠逻辑芯片封装单元。然而，不同层封装单元之间的中介层增加了整体堆叠式封装结构的厚度以及制造成本。因此，为了进一步缩减堆叠式封装结构的尺寸并减少制造成本，目前亟需一种不使用中介层就能进行堆叠式封装的方法。

发明内容

本发明提供一种封装堆叠结构及其制造方法，其通过使用具有金属盐类的绝缘封装体，在绝缘封装体中形成晶种层及线路层以取代中介层。因此，能够有效地减少封装堆叠结构的尺寸及制造成本。

本发明提供一种包括第一封装结构以及第二封装结构的封装堆叠结构。第一封装结构包括第一载板、第一芯片、第一绝缘密封体、多个导电结构、晶种层以及线路层。第一载板包括第一表面、相对于第一表面的第二表面以及位于第一表面上的多个载板接垫。第一芯片配置于第一表面上。第一绝缘密封体配置于第一表面上且密封第一芯片。第一绝缘密封体包括多个第一开孔以及多个沟渠，且第一绝缘密封体包括封装胶以及分散于所述封装胶中的填充物以及金属盐类。多个导电结构配置于第一载板的部分载板接垫上并环绕第一芯片。第一绝缘密封体密封导电结构。晶种层配置于第一开孔以及沟渠的表面。晶种层包括金属盐类还原的金属。线路层配置于晶种层上。线路层包括位于第一开孔中的多个第一接垫以及位于沟渠中的多个导线。第二封装结构配置于第一封装结构上并与线路层电性连接。

本发明提供一种封装堆叠结构的制造方法，包括：形成第一封装结构以及在第一封装结构上形成第二封装结构。第二封装结构与线路层电性连接。形成第一封装结构的步骤至少包括以下步骤。首先，提供第一载板。第一载板包括第一表面、相对于第一表面的第二表面以及位于第一表面上的多个载板接垫。在第一表面上形成第一芯片。在第一载板的部分载板接垫上形成环绕第一芯片的多个导电结构。在第一表面上形成第一绝缘密封体以密封第一芯片。第一绝缘密封体包括封装胶以及分散于封装胶中的填充物以及金属盐类。通过激光在第一绝缘密封中形成多个第一开孔以及多个沟渠，以将第一绝缘密封体的部分金属盐类还原成位于第一开孔以及沟渠表面上的晶种层。在晶种层上形成线路层。线路层包括位于第一开孔内的多个第一接垫以及位于沟渠内的多个导线。

基于上述，在本发明的封装堆叠结构中，第一封装结构具有晶种层及线路层，并通过线路层连接第二封装结构。因此，封装堆叠结构不需要额外设置中介层，故能减少封装堆叠结构的尺寸及制造成本。此外，本发明通过激光形成开孔，并将开孔表面的金属盐类还原成晶种层。因此，不需要额外的沉积步骤来形成晶种层，且晶种层能准确地形成于开孔中，以提升产品良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G是依照本发明一实施例的一种封装堆叠结构的制造过程的简化上视图。

图2A至图2G是沿图1A至图1G的剖线A’-A”的剖面示意图。