[发明专利]半导体装置和存储器访问控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

地址转换电路，所述地址转换电路基于用于将数据存储在存储器中的第一地址，来生成用于存储由所述数据生成的错误检测代码的第二地址；

写入电路，所述写入电路在请求将所述数据写入所述第一地址时将所述数据写入所述第一地址，并且所述写入电路将所述错误检测代码写入所述第二地址；以及

读取电路，所述读取电路在请求读取存储在所述第一地址的所述数据时从所述第一地址读取所述数据，并且所述读取电路从所述第二地址读取所述错误检测代码并且基于有关的所述数据和有关的所述错误检测代码来检测错误，

其中，所述地址转换电路通过修改所述第一地址的至少一个位的值，以使所述错误检测代码的存储位置偏移到所述数据的存储位置，并且通过使其它位当中的规定的数量的位的值反转或者使其它位当中的规定的数量的位的顺序重排，来生成地址作为所述第二地址。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述地址转换电路通过使所述规定的数量的所述位的值反转，来生成地址作为所述第二地址。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述地址转换电路通过重排所述规定的数量的所述位的顺序，来生成地址作为所述第二地址。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述地址转换电路通过使所述规定的数量的所述位移位到高阶方向或者低阶方向，来生成地址作为所述第二地址。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述地址转换电路通过使所述规定的数量的所述位的顺序反转，来生成地址作为所述第二地址。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述地址转换电路通过在除了所述第一地址的至少一个位之外的位当中使从低阶起除了规定的偏移位数量的所述位之外的所述位向低阶方向移位所述偏移位数量，并且通过将从高阶起所述偏移位数量的所述偏移位修改为预设的偏移值，来生成地址作为所述第二地址。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述地址转换电路通过使在所述第一地址中从低阶起除了规定的偏移位数量的所述位之外的所述位向低阶方向移位所述偏移位数量，并且通过将从高阶起所述偏移位数量的所述偏移位修改为预设的偏移值，来生成地址作为所述第二地址。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中，从总线主控器请求所述数据的写入和所述数据的读取，

其中，所述第一地址由所述总线主控器指定，以及

其中，所述半导体装置进一步包括地址限制电路，当由所述总线主控器指定的所述第一地址包括在预先被确定为所述第二地址允许的范围中时，所述地址限制电路将由所述总线主控器指定的所述地址修改为预先被确定为所述第一地址允许的地址的地址。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，当指定第一模式时，所述地址转换电路通过使除了所述第一地址的至少一个位之外的所述位向低阶方向移位规定的偏移位数量，来生成地址作为所述第二地址，以及

其中，当指定第二模式时，所述地址转换电路通过在除了所述第一地址的至少一个位之外的所述位当中，使从低阶起除了所述偏移位数量的所述位之外的所述位向低阶方向移位所述偏移位数量，并且通过将从高阶起所述偏移位数量的所述偏移位修改为预设的偏移值，来生成地址作为所述第二地址。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，当指定第一模式时，所述地址转换电路通过使除了所述第一地址的至少一个位之外的位的值反转，来生成地址作为所述第二地址，以及

其中，当指定第二模式时，所述地址转换电路使除了所述第一地址的至少一个位之外的位的值反转，使从低阶起除了规定的偏移位数量的所述位之外的所述位向低阶方向移位所述偏移位数量，并且将从高阶起所述偏移位数量的所述偏移位修改为预设的偏移值。