[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。防止向基板处理容器内输入的晶圆上的液体干燥。基板处理装置(3)包括基板处理容器主体(31A)以及保持构件(42)，所述保持构件(42)从该基板处理容器主体(31A)外方将晶圆(W)向基板处理容器主体(31A)内输送，并在处理过程中保持晶圆(W)。在基板处理容器主体(41)的外方设置有支承晶圆(W)的基板支承销(49)和对保持构件(42)进行冷却的冷却板(45)。

技术领域

本发明涉及将附着到基板的表面的液体去除的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在将集成电路的层叠构造形成于作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)等的表面的半导体装置的制造工序中，设置有利用化学溶液等清洗液将晶圆表面的微小的尘土、自然氧化膜去除等利用液体来对晶圆表面进行处理的液处理工序。

在这样的液处理工序中，在将附着到晶圆的表面的液体等去除之际，公知有使用超临界状态、亚临界状态的流体(在背景技术的说明中，将它们统称为超临界流体)的超临界处理方法。

不过，在使用超临界流体来对晶圆实施超临界处理的情况下，首先，在前工序中向晶圆注满(日文：液盛り)包括例如IPA的干燥防止用的液体，将注满有干燥防止用的液体的晶圆载置于位于基板处理容器主体的外方的保持构件上，将保持构件上的晶圆向基板处理容器主体内输入。接下来在基板处理容器内中使用超临界流体来对晶圆实施了超临界处理。

在结束超临界处理后，使保持构件向外方移动而将保持构件上的晶圆向外方排出。

接下来将新的注满有干燥防止用的液体的晶圆载置于保持构件上而反复进行上述的作用。

如上述那样在载置于保持构件上的晶圆注满有干燥防止用的液体，但于在基板处理容器内对晶圆实施超临界处理的情况下，保持构件也被加热成高温。于在加热了的保持构件的温度较高的状态下载置了新的注满液体的晶圆的情况下，可知：注满于晶圆的干燥防止用的液体由于来自保持构件的热量就干燥，无法对晶圆实施恰当的超临界(加热)处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是考虑这样的点而做成的，目的在于提供一种能够对注满液体的基板实施恰当的加热处理的基板处理装置、基板处理方法。

用于解决问题的方案

本发明的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具备：基板处理容器主体，其用于对基板实施处理；保持构件，其用于从所述基板处理容器主体的外方向所述基板处理容器主体输送所述基板，并用于在处理过程中在所述基板处理容器主体内保持所述基板；冷却构件和基板支承销，其位于所述基板处理容器主体的外方，并且，该冷却构件用于对所述保持构件进行冷却，该基板支承销用于对所述基板进行支承；升降机构，其用于使所述冷却构件和所述基板支承销相对于所述保持构件沿着上下方向升降。