[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201710123005.7 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107154342B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 稻富弘朗;冈村聪;枇杷聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具备:
基板处理容器主体,其用于对基板实施处理;
保持构件,其用于从所述基板处理容器主体的外方向所述基板处理容器主体输送所述基板,并用于在处理过程中在所述基板处理容器主体内保持所述基板;
冷却构件和基板支承销,其位于所述基板处理容器主体的外方,并且,该冷却构件用于对所述保持构件进行冷却,该基板支承销用于支承所述基板;
升降机构,其用于使所述冷却构件和所述基板支承销一起相对于所述保持构件沿着上下方向升降,
其中,所述冷却构件与所述保持构件直接接触而对保持构件进行冷却,
所述升降机构具有隔着弹簧抬起所述冷却构件的冷却构件支承销。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述升降机构具有贯通所述冷却构件而延伸并支承所述基板的所述基板支承销。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述冷却构件在其表面具有弹性材料。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
基板处理容器是超临界处理用的基板处理容器。
5.一种基板处理方法,其特征在于,
该基板处理方法具备如下工序:
准备基板处理装置的工序,该基板处理装置具备:基板处理容器主体,其用于对基板实施处理;保持构件,其用于从所述基板处理容器主体的外方向所述基板处理容器主体输送所述基板,并用于在处理过程中在所述基板处理容器主体内保持所述基板;冷却构件和基板支承销,其位于所述基板处理容器主体的外方,并且,该冷却构件用于对所述保持构件进行冷却,该基板支承销用于支承所述基板;升降机构,其用于使所述冷却构件和所述基板支承销一起相对于所述保持构件沿着上下方向升降,其中,所述冷却构件与所述保持构件直接接触而对保持构件进行冷却,所述升降机构具有隔着弹簧抬起所述冷却构件的冷却构件支承销;
利用所述保持构件从所述基板处理容器主体的外方向所述基板处理容器主体输送所述基板的工序;
在所述基板处理容器内一边利用所述保持构件保持所述基板一边实施处理的工序;
一边将所述保持构件上的所述基板向外方排出、并且使所述升降机构工作而利用所述基板支承销将所述基板向上方抬起,一边使所述冷却构件接近所述保持构件而对所述保持构件进行冷却的工序;
将新的基板载置于所述保持构件上的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造