[发明专利]基材上生长AlMgB14膜层的方法及采用该方法制得的制品

权利要求书

1.一种基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，采用原子层沉积的方法在制品的所需表面生长AlMgB₁₄膜层，其特征在于，采用Al的前驱体、Mg的前驱体、B 的前驱体三种前驱体交替反应，每种前驱体反应完成后通入H的等离子体进行还原反应，得到含有纯的Al层、Mg层和B层的AlMgB₁₄膜层。

2.如权利要求1所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，Al的前驱体为三甲基铝Al(CH₃)₃、三异丁基铝、三甲基酰胺基铝的一种或两种及两种以上的混合物；Mg的前驱体为二戊镁、乙基二戊镁中的一种或二者的混合物；B的前驱体为有机化物或有机氢化物中的一种或两种。

3.如权利要求2所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，B的前驱体为三甲基硼，B₂H₆、B₂H₁₀中的一种或两种或两种以上的混合物。

4.如权利要求1或2所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，在真空下、温度为室温到1000℃，下生长AlMgB₁₄膜层，真空度可为10^-6-10^-8mbar。

5.如权利要求4所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，温度是100℃-500℃。

6.如权利要求1所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，AlMgB₁₄膜层中Al、Mg含量为1:0.8-1.2，B的含量大于等于Al、Mg的含量和。

7.如权利要求6所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，B含量80%-96%；Al含量2%-10%；Mg含量2%-10%。

8.如权利要求7所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于， B含量为90%；

Al含量为5%、Mg含量为5%。

9.如权利要求1所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，在耐高温基体材料上以ALD的方式生长膜层后进行快速高温退火。

10.如权利要求1所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，其特征在于，所述快速高温退火工艺为：在氩气和氮气环境中以每秒不超过1000℃的速度快速升温到600-1000℃，保温时间不超过30分钟，一般为30秒到几分钟，而后在加热区外自然冷却到常温。

11.具有AlMgB₁₄膜层的制品，其特征在于，所述制品为非塑性金属或非金属材料，所述AlMgB₁₄膜层生长在所述制品的至少工作表面，采用权利要求1-10各项之一所述的基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法在制品的至少工作表面生长AlMgB₁₄膜层。

12.如权利要求11所述的具有AlMgB₁₄膜层的制品，其特征在于，所述制品为传动件、滑动件、滚动件、支撑件、切削件、磨削件、容器、纺织品、玻璃或玻璃制品中的一种。

13.一种滚动连接件，包括球体及球体的支撑件，其特征在于，在球体的外表面和/或球体支撑件的至少支撑表面ALD的方法设置有AlMgB₁₄膜层，所述AlMgB₁₄膜层中各组份含量采用权利要求5-7的方法中所述的含量。

14.一种球体，其特征在于，在球体的外表面通过ALD的方法设置有AlMgB₁₄膜层，所述AlMgB₁₄膜层中各组份含量采用权利要求5-7的方法中所述的含量。