[发明专利]电子零件的制造方法及电子零件的制造装置在审
申请号: | 201710117535.0 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN107195556A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 本间庄一;小牟田直幸 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/67;B41M5/00;B41M5/26 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子零件 制造 方法 装置 | ||
1.一种电子零件的制造方法,其特征在于:使具有设置着第1焊垫的第1面的第1零件的所述第1面与具有设置着第2焊垫的第2面的第2零件的所述第2面,以在所述第1焊垫及所述第2焊垫中的至少任一个设置着个体状的金属部件的第1状态下相互对向;
使所述金属部件熔融,且使所述第1零件与所述第2零件接近,直至所述已熔融的所述金属部件与所述第1焊垫及所述第2焊垫相接为止;
在使所述第1零件与所述第2零件接近之后,在所述已熔融的所述金属部件与所述第1焊垫及所述第2焊垫相接的状态下,使所述第1零件及所述第2零件中的至少任一个沿所述第1面移动;
在使所述第1零件及所述第2零件中的所述至少任一个移动之后使所述金属部件成为固体状,形成所述第1焊垫及所述第2焊垫通过所述固体状的所述金属部件而相互电连接的第2状态;且
所述第1状态下的所述第1焊垫的平面形状的第1几何学重心与所述第1状态下的所述第2焊垫的平面形状的第2几何学重心之间的沿所述第1面的方向上的第1距离,比所述第2状态下的所述第1几何学重心与所述第2状态下的所述第2几何学重心之间的沿所述第1面的方向上的第2距离长。
2.根据权利要求1所述的电子零件的制造方法,其特征在于:在所述第1状态下,所述金属部件包含设置在所述第1焊垫的面上及所述第2焊垫的面上的任一面上的凸块。
3.根据权利要求1或2所述的电子零件的制造方法,其特征在于:所述第1焊垫包含包括所述第1几何学重心的第1中侧区域、及所述第1中侧区域周围的第1外缘区域,所述第1中侧区域相对于所述第1外缘区域后退。
4.根据权利要求1或2所述的电子零件的制造方法,其特征在于:在使所述第1零件及所述第2零件中的所述至少任一个移动时,使所述第1零件及所述第2零件中的所述至少任一个沿着沿所述第1面的移动方向移动,
所述移动的距离是所述第1焊垫的所述平面形状的沿所述移动方向的长度的最大值与所述第2焊垫的所述平面形状的沿所述移动方向的长度的最大值的平均值的10%以上且90%以下。
5.根据权利要求1或2所述的电子零件的制造方法,其特征在于包含如下操作:在使所述第1零件及所述第2零件中的所述至少任一个移动时,利用头部保持所述第1零件,使所述第1零件沿所述第1面移动。
6.一种电子零件的制造装置,其特征在于具备:平台,供载置具有设置着第1焊垫的第1面的第1零件;
头部,能够保持具有设置着第2焊垫的第2面的第2零件;及
控制部,控制所述平台及所述头部的相对位置、所述平台及所述头部中的至少任一个的温度;且
所述控制部使所述平台及所述头部中的至少任一个实施如下动作:
使所述第1面与所述第2面以在所述第1焊垫及所述第2焊垫中的至少任一个设置着个体状的金属部件的第1状态下相互对向;
使所述金属部件熔融,且使所述第1零件与所述第2零件接近,直至所述已熔融的所述金属部件与所述第1焊垫及所述第2焊垫相接为止;
在使所述第1零件与所述第2零件接近之动作之后,在所述已熔融的所述金属部件与所述第1焊垫及所述第2焊垫相接的状态下,使所述第1零件及所述第2零件中的至少任一个沿所述第1面移动;以及
在使所述第1零件及所述第2零件中的所述至少任一个移动的动作之后使所述金属部件成为固体状,形成所述第1焊垫及所述第2焊垫通过所述固体状的所述金属部件而相互电连接的第2状态;且
所述第1状态下的所述第1焊垫的平面形状的第1几何学重心与所述第1状态下的所述第2焊垫的平面形状的第2几何学重心之间的沿所述第1面的方向上的第1距离,比所述第2状态下的所述第1几何学重心与所述第2状态下的所述第2几何学重心之间的沿所述第1面的方向上的第2距离长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造