[发明专利]一种利用原子层沉积技术通过置换反应制备透明铜薄膜导电电极的方法

权利要求书

1.一种利用原子层沉积技术通过置换反应制备透明铜薄膜导电电极的方法，其步骤如下：

1)将透明基底依次用丙酮、乙醇及去离子水擦拭，并依次用丙酮、乙醇及去离子水超声清洗，然后用氮气吹干；

2)在步骤1)得到的透明基底的同一侧表面粘贴两条相互分立的保护膜，两条保护膜对称地位于基底表面靠近边缘处的位置，得到图形化透明基底，然后将该图形化透明基底送入原子层沉积设备的反应室中；

3)向原子层沉积设备的反应室内依次通入反应物前驱体二乙基锌和二(六氟乙酰丙酮)铜，在步骤2)得到的图形化透明基底上沉积生长厚度为10～12nm的透明铜薄膜，生长完成后揭下保护膜；

4)将步骤3)得到的透明基底及其上沉积生长的透明铜薄膜高温退火，退火温度为200～300℃，退火时间为20～30min，从而在透明基底上得到图形化的均匀透明铜薄膜导电电极。

2.如权利要求1所述的一种利用原子层沉积技术通过置换反应制备透明铜薄膜导电电极的方法，其特征在于：步骤1)中所述的透明基底为抛光玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚醚酰亚胺。

3.如权利要求1所述的一种利用原子层沉积技术通过置换反应制备透明铜薄膜导电电极的方法，其特征在于：步骤2)中所述的保护膜为硅片保护膜。

4.如权利要求1所述的一种利用原子层沉积技术通过置换反应制备透明铜薄膜导电电极的方法，其特征在于：步骤3)中所述的沉积是在原子层沉积系统中进行的，反应室内沉积压力为0.1～1Torr，沉积温度为100～130℃。

5.如权利要求1所述的一种利用原子层沉积技术通过置换反应制备透明铜薄膜导电电极的方法，其特征在于：步骤3)中二乙基锌的脉冲时间为0.02s～0.03/循环，氮气排空时间80s/循环以上；二(六氟乙酰丙酮)铜的脉冲时间0.08～0.1s/循环，氮气排空时间120s/循环以上。