[发明专利]基于透明基板的背面加工工艺和器件加工工艺有效
| 申请号： | 201710115097.4 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511318B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张家锦 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 透明 背面 加工 工艺 器件 | ||
1.一种基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，包括：
提供透明基板；
在透明基板的背面沉积透光介质层；
在所述透光介质层上形成三维标记结构；
在所述三维标记结构中沉积反光介质层，形成反光的三维标记，所述三维标记为呈周期分布的凹凸结构。
2.如权利要求1所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，所述三维标记的标记图形朝向所述透明基板的正面方向。
3.如权利要求1所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，在所述透光介质层上形成三维标记结构具体采用光刻刻蚀方法。
4.如权利要求1所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，在所述透光介质层上形成所述三维标记结构具体包括沿所述透明基板正面方向依次形成标记区定义层和至少一层标记图形层，所述标记图形层的标记图形朝向所述透明基板的正面方向。
5.如权利要求4所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，所述周期优选为2-20μm。
6.如权利要求4所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，所述标记图形层中最大开口尺寸与所述凹凸结构的周期的比值范围为1:10至1。
7.如权利要求4所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，所述标记图形层的标记图形的最小线宽大于1μm。
8.如权利要求4所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，设标记区定义层的长度为L1，宽度为W1；标记图形的长度为L2，宽度为W2；则(W1-W2)/2设备套刻精度，(L1-L2)/2设备套刻精度。
9.如权利要求1所述的基于透明基板的背面加工工艺，其特征在于，所述三维标记的高度小于或等于所述透光介质层的厚度。
10.一种基于透明基板的器件加工工艺，其特征在于，包括：
采用如权利要求1～9任意一项所述的背面加工工艺，在透明基板的底部制作形成反光的三维标记；
在透明基板的表面逐层形成工艺层，在形成每层工艺层时在所述透明基板正面方向对准所述三维标记以实现各层工艺层的套准；
完成整个器件结构制作后将透光介质层从透明基板的底部剥离。
11.如权利要求10所述的基于透明基板的器件加工工艺，其特征在于，将透光介质层从透明基板的底部剥离步骤包括：利用化学液剂与透光介质层反应，从而对所述透光介质层进行整体去除；接着，对所述透明基板背面进行清洗和干燥处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
