[发明专利]微发光二极管阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201710106472.9 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN106935608B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L29/45;H01L33/62;H01L33/64;H01L23/373 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;顾楠楠 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 显示 面板 | ||
本发明提供了一种微发光二极管阵列基板,包括玻璃基板,所述玻璃基板上依次形成有栅极、绝缘层,在绝缘层上形成有半导体层以及像素电极,在半导体层上设有源极、漏极,所述漏极与相邻的像素电极连接,在像素电极上连接有微发光二极管,所述栅极、源极、漏极、像素电极以及与微发光二极管的管脚连接的引线均采用石墨烯导电材料制备得到。本发明还提供了一种显示面板,包括所述的微发光二极管阵列基板,在微发光二极管上分别设有色阻层。与现有技术相比,首先,通过在栅极、源极、漏极、像素电极以及与微发光二极管的管脚连接的引线均采用石墨烯导电材料制备得到,从而使得微发光二极管处的热量能够经被传导至其他区域,从而提高散热能力。
技术领域
本发明涉及一种微发光二极管显示技术领域,特别是一种微发光二极管阵列基板及显示面板。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
微发光二极管(Micro LED,μLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,μLED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但μLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
目前微发光二极管显示阵列示设计在驱动阵列上方的微发光二极管阵列结构,通过正负电极欲驱动阵列的导通连接,以TFT阵列控制每个像素的微发光二极管的开关和亮度;而微发光二极管阵列由于其微米尺度,当为了达到高像素数目(PPI)显示时,会导致微发光二极管的密度极高,使得其存在散热不通畅的问题,微发光二极管阵列基板的散热问题,会影响显示区域内的显示效果,包括电压电流曲线随温度变化而变化,以及芯片寿命的缩短和微发光二极管的热猝灭,当色阻层以QD(quantum dot,量子点)材料制作而成时,由于该种材料耐高温性能差,微发光二极管阵列的高温问题容易影响QD材料的稳定性。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明提供一种微发光二极管阵列基板及显示面板,从而提高散热能力。
本发明提供了一种微发光二极管阵列基板,包括玻璃基板,所述玻璃基板上依次形成有栅极、绝缘层,在绝缘层上形成有半导体层以及像素电极,在半导体层上设有源极、漏极,所述漏极与相邻的像素电极连接,在像素电极上连接有微发光二极管,所述栅极、源极、漏极、像素电极以及与微发光二极管的管脚连接的引线均采用石墨烯导电材料制备得到。
进一步地,所述微发光二极管的表面上覆盖有散热层。
进一步地,所述散热层由石墨烯材料制成。
本发明还提供了一种显示面板,包括所述的微发光二极管阵列基板,在微发光二极管上分别设有色阻层。
进一步地,所述微发光二极管的与色阻层之间设有散热层。
进一步地,所述散热层由石墨烯材料制成。
进一步地,所述微发光二极管为蓝光微发光二极管,所述色阻层包括R色阻层、G色阻层,所述R色阻层与G色阻层分别设于用于作为R子像素和G子像素的微发光二极管上方。
进一步地,所述色阻层由量子点材料制成。
进一步地,位于R色阻层处的散热层分别相互连接形成一个整体;位于G色阻层处的散热层分别相互连接形成一个整体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710106472.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的