[发明专利]LED反射电极及其制作方法有效
申请号: | 201710104135.6 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN106876548B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 何鹏 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/00 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 423038 湖南省郴*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 反射 电极 及其 制作方法 | ||
1.一种LED反射电极制作方法,其特征在于,依次包括:
采用负性光刻胶做出电极图形并显影,所述负性光刻胶呈现倒梯形;
保持蒸镀腔的压力为105torr至106torr,温度为10℃至30℃,依次蒸镀欧姆接触金属层、反射金属层、连接金属层和隔离金属层;其中,所述欧姆接触金属层的厚度为10埃至50埃,蒸镀所述欧姆接触金属层的速镀膜率为0.1埃/秒至1埃/秒,蒸镀所述欧姆接触金属层的功率为200w至1000w;所述反射金属层的厚度为1000埃至3000埃,蒸镀所述反射金属层的速镀膜率为4埃/秒至10埃/秒,蒸镀所述反射金属层的功率为3000w至6000w;所述连接金属层的厚度为200埃至600埃,蒸镀所述连接金属层的速镀膜率为0.5埃/秒至2埃/秒,蒸镀所述连接金属层的功率为200w至1000w;所述隔离金属层的厚度为200埃至600埃,蒸镀所述隔离金属层的速镀膜率为2埃/秒至6埃/秒,蒸镀所述隔离金属层的功率为2000w至4000w;
保持蒸镀腔的压力为105torr至106torr,将蒸镀腔的温度升高到100℃-150℃,保持速镀膜率为5埃/秒至10埃/秒,并保持蒸镀功率为3000w至6000w,在所述隔离金属层上方蒸镀材质为惰性金属的焊接金属层,所述负性光刻胶产生玻璃化,倒梯形状的负性光刻胶向所述欧姆接触层、所述反射金属层、所述连接金属层和所述隔离金属层的方向回缩,使得所述焊接金属层将所述欧姆接触层、所述反射金属层、所述连接金属层和所述隔离金属层包覆起来,其中,所述焊接金属层的厚度为0.5微米至3微米。
2.根据权利要求1所述LED反射电极制作方法,其特征在于,所述焊接金属层的材质为金或铂。
3.根据权利要求1~2中任意一项所述LED反射电极制作方法,其特征在于,蒸镀所述欧姆接触金属层、所述反射金属层、所述隔离金属层、所述连接金属层和所述焊接金属层的方法为电子束真空蒸发的镀膜方式。
4.一种LED反射电极,其特征在于,LED反射电极包括:倒梯形的负性光刻胶和位于所述负性光刻胶内侧的蒸镀电极膜层;
所述蒸镀电极膜层沿所述反射电极轴线方向由下至上依次包括欧姆接触金属层、反射金属层、连接金属层、隔离金属层和焊接金属层,所述焊接金属层将所述欧姆接触金属层、所述反射金属层、所述连接金属层和所述隔离金属层包覆;
所述欧姆接触金属层、所述反射金属层、所述连接金属层和所述隔离金属层的蒸镀压力范围为105torr至106torr,蒸镀温度范围为10℃-30℃;
所述欧姆接触金属层的厚度为10埃至50埃,蒸镀所述欧姆接触金属层的速镀膜率为0.1埃/秒至1埃/秒,蒸镀所述欧姆接触金属层的功率为200w至1000w;所述反射金属层的厚度为1000埃至3000埃,蒸镀所述反射金属层的速镀膜率为4埃/秒至10埃/秒,蒸镀所述反射金属层的功率为3000w至6000w;所述连接金属层的厚度为200埃至600埃,蒸镀所述连接金属层的速镀膜率为0.5埃/秒至2埃/秒,蒸镀所述连接金属层的功率为200w至1000w;所述隔离金属层的厚度为200埃至600埃,蒸镀所述隔离金属层的速镀膜率为2埃/秒至6埃/秒,蒸镀所述隔离金属层的功率为2000w至4000w;
所述焊接金属层的材质为惰性金属,所述焊接金属层的蒸镀压力范围为105torr至106torr,蒸镀温度范围为100℃-150℃,速镀膜率为5埃/秒至10埃/秒,蒸镀功率为3000w至6000w,厚度为0.5微米至3微米。
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