[发明专利]一种柔性基板的制备方法在审
申请号: | 201710098365.6 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN106935596A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 王选芸 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/78 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种柔性基板的制备方法。
背景技术
所谓柔性基板,是一种在柔性材料构成的基底表面上制备器件的基板结构。随着显示技术的不断更新与发展,采用柔性基板制成的可弯曲的柔性器件有望成为下一代光电子器件的主流设备。如显示器、芯片、电路、电源、传感器等柔性器件,它们不仅能够实现传统光电子器件所不能实现的功能,同时具有低成本的优势,还有利于改善用户体验。
现有柔性基板存在应力不易释放的问题。例如常用的柔性AMOLED器件,目前使用的基底材料多为聚酰亚胺(PI)或者聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),在柔性AMOLED的前段制程中需要对柔性基底进行高温处理,由于基底材料与玻璃之间的热膨胀系数差异较大,因此,在高温制程中会产生热应力。当完成柔性基板的全部板上的工艺制程后,需要将柔性基板与玻璃基板相剥离,柔性基板会释放热应力,进而造成柔性基板的卷曲,严重时还会对柔性基板上的薄膜晶体管等器件的性能造成较大影响。
因此,亟需提出一种方法,以释放玻璃基板与柔性基底之间由于热膨胀系数差异所导致的薄膜应力,提高柔性基板的抗弯折性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题之一是提出一种方法以释放玻璃基板与柔性基底之间由于热膨胀系数差异所导致的薄膜应力。
为了解决上述技术问题,本申请的实施例首先提供了一种柔性基板的制备方法,包括:在玻璃基板上形成柔性基底;将所述柔性基底与所述玻璃基板相剥离;将所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上;在所述柔性基底上完成剩余基板制程;沿预定轨迹对所述柔性基底进行切割,以获得所述柔性基板;其中,所述预定轨迹位于由所述边缘围成的区域的内部。
优选地,所述将所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上,具体包括:将所述柔性基底平铺于所述玻璃基板的表面上;在所述柔性基底的边缘处涂覆固定材料,并使所述固定材料与所述玻璃基板的表面接触;对所述固定材料进行处理,以使所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上。
优选地,所述将所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上,具体包括:在所述玻璃基板上涂覆固定材料,所述固定材料的涂覆位置对应于所述柔性基底的边缘;将所述柔性基底平铺于所述玻璃基板的表面上,使所述固定材料完全被所述柔性基底的边缘覆盖;对所述固定材料进行处理,以使所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上。
优选地,所述固定材料在450℃或在450℃以上的温度范围内不挥发。
优选地,所述固定材料与所述柔性基底的材料相同。
优选地,所述固定材料包括聚酰亚胺或聚萘二甲酸乙二醇酯。
优选地,对所述固定材料进行处理,以使所述柔性基底的边缘固定在所述玻璃基板上,包括:在200-400℃的温度范围内对所述固定材料进行高温固化,所述高温固化的持续时间为5-10min。
优选地,采用激光镭射法将所述柔性基底与所述玻璃基板相剥离。
优选地,所述激光的能量范围为300-500mJ/cm2,激光的扫描重叠范围为20-60%。
优选地,所述预定轨迹与所述边缘之间的最小距离保持5-10mm的偏移。
与现有技术相比,上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:
在柔性基板的工艺制程中,通过先将柔性基底与玻璃基板相剥离,再使柔性基底的边缘与玻璃基板相固定的方式,有效地释放掉柔性基底成膜制程中所产生的薄膜应力,使得制成的柔性基板不会产生翘曲,提高了柔性基板以及相应的柔性器件的可靠性。
本发明的其他优点、目标,和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述,并且在某种程度上,基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的,或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书,权利要求书,以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请的技术方案或现有技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分。其中,表达本申请实施例的附图与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,但并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为根据本发明第一实施例的柔性基板的制备方法的流程示意图;
图2a-图2f为根据本发明第二实施例的柔性基板的制备方法的的工艺流程图;
图3为图2f的俯视图;
图4a-图4f为根据本发明第三实施例的柔性基板的制备方法的的工艺流程图;
图5为图4c的俯视图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的