[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供一种能够提高所形成的膜的膜质的技术。具有：处理室，对衬底进行处理；气体供给部，设置于处理室内，供给对衬底进行处理的处理气体；等离子体产生部，设置于处理室内，使处理气体活化；和缓冲部，形成用于收纳等离子体产生部的至少一部分的缓冲室，且具有对衬底供给活化后的处理气体的气体供给孔，缓冲部具有将气体供给孔的一部分切去而形成的槽部。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时进行下述衬底处理，即将衬底搬入衬底处理装置的处理室内，向处理室内供给原料气体和反应气体从而在衬底上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜、除去各种膜。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本专利第4526540号公报

发明内容

发明所要解决的问题

对于所形成的图案变得微细的近年来的量产器件而言，不仅需要如上所述的衬底处理，而且为了抑制杂质的扩散、为了能够使用有机材料等耐热性低的材料，而要求通过在低温条件下进行衬底处理，从而提高所形成的膜的膜质。

本发明的目的在于，提供一种能够提高所形成的膜的膜质的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，具有：

处理室，对衬底进行处理，

气体供给部，设置于所述处理室内，供给对所述衬底进行处理的处理气体，

等离子体产生部，设置于所述处理室内，使所述处理气体活化，和

缓冲部，形成用于收纳所述等离子体产生部的至少一部分的缓冲室，且具有对所述衬底供给活化后的所述处理气体的气体供给孔，

所述缓冲部具有将所述气体供给孔的一部分切去而形成的槽部。

发明效果

根据本发明，能够提高所形成的膜的膜质。

附图说明

[图1]是在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图。

[图2]是在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用图1的A-A线剖面表示处理炉部分的图。

[图3]是在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的缓冲结构的概略构成图。

[图4](a)是用图3的B-B线剖面表示在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的缓冲结构的图。(b)是用图3的C-C线剖面表示在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的缓冲结构的图。

[图5]是以图3的区域D将在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的缓冲结构放大而得到的概略图。

[图6]是在本发明的实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，且是用框图表示控制器的控制系统的图。

[图7]是表示本发明中的衬底处理过程的流程的图。

[图8]使表示本发明中的第一实施方式的变形例的图。

[附图标记说明]

200…晶片，

201…处理室，

207…加热器(加热装置)，