[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710096228.9 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107240563B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 竹田刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种衬底处理装置，具有：
处理室，对被沿着垂直方向支承为多层的多个衬底进行处理，
气体供给部，设置于所述处理室内，供给对多个所述衬底进行处理的处理气体，
等离子体产生部，设置于所述处理室内，所述等离子体产生部具备与高频电源连接的电极和与接地线连接的电极，通过所述与高频电源连接的电极和所述与接地线连接的电极使所述处理气体活化，和
缓冲部，形成用于收纳所述等离子体产生部的缓冲室，且在所述垂直方向上具有对多个所述衬底向与所述衬底的表面平行的方向供给活化后的所述处理气体的多个气体供给孔，
所述缓冲部具有以将多个所述气体供给孔之间连结的方式切去一部分而形成的槽部，所述槽部以所述槽部的短边方向宽度为所述气体供给孔的半径以上且小于直径的方式沿所述垂直方向形成，且所述槽部形成在与所述等离子体产生部的所述与高频电源连接的电极和所述与接地线连接的电极相反的一侧。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述槽部形成为比所述缓冲部的壁厚浅。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述槽部的深度以成为所述气体供给孔的半径的1/2以上的方式形成。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述槽部设置于比位于最上位的所述气体供给孔更靠上方。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述槽部设置于比位于最下位的所述气体供给孔更靠下方。
6.一种半导体器件的制造方法，具有：
向下述衬底处理装置的处理室内搬入衬底的工序，
将所述衬底在所述处理室内进行处理的工序，和
将所述衬底从所述处理室搬出的工序，
其中，所述衬底处理装置具有：
处理室，对被沿着垂直方向支承为多层的多个衬底进行处理，
气体供给部，设置于所述处理室内，供给对多个所述衬底进行处理的处理气体，
等离子体产生部，设置于所述处理室内，所述等离子体产生部具备与高频电源连接的电极和与接地线连接的电极，通过所述与高频电源连接的电极和所述与接地线连接的电极使所述处理气体活化，和
缓冲部，形成用于收纳所述等离子体产生部的缓冲室，且在所述垂直方向上具有对多个所述衬底向与所述衬底的表面平行的方向供给活化后的所述处理气体的多个气体供给孔，
所述缓冲部具有以将多个所述气体供给孔之间连结的方式切去一部分而形成的槽部，所述槽部以所述槽部的短边方向宽度为所述气体供给孔的半径以上且小于直径的方式沿所述垂直方向形成，且所述槽部形成在与所述等离子体产生部的所述与高频电源连接的电极和所述与接地线连接的电极相反的一侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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