[发明专利]一种高可靠性HEMT制作方法在审
| 申请号： | 201710086139.6 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106920747A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;张耀辉;莫海锋 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 hemt 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：包括以下步骤，
步骤1，在成型后的HEMT器件上淀积介质层，并对介质层进行平坦化处理；
步骤2，在平坦化处理后的介质层上刻蚀若干通孔或槽；
步骤3，在通孔或槽中淀积金属层，并对金属层进行平坦化处理；
步骤4，在平坦化处理后的金属层和介质层上淀积钝化层。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：平坦化处理后的金属层顶面与平坦化处理后的介质层顶面齐平。
3.根据权利要求1或2所述的一种高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述介质层的应力范围为-1×109～1×109dyne/cm2。
4.根据权利要求3所述的一种高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述介质层包括多层介质，相邻两层介质之间设置有介质阻挡层。
5.根据权利要求1或2所述的一种高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述金属层的底部设置有金属阻挡层。
6.根据权利要求1所述的一种高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：所述钝化层为SiN和/或SiON。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
