[发明专利]一种铁磁半导体薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种铁磁半导体薄膜材料的制备方法，该方法包括如下步骤：

（1）基片处理

将绝缘基片切削研磨后，将绝缘基片依次用洗洁精、去离子水超声清洗10-15min，然后用质量百分数35％的浓氨水/质量百分数20％的双氧水/去离子水的混合溶液65-75℃处理20-25min，所述浓氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:3:4，最后用去离子水超声清洗150-200s，取出、用干燥氮气吹干；

（2）制备CdSiP₂靶材

按摩尔比Cd:Si:P＝1:1:2的比例分别称取Cd、Si和P三种单质原料，将原料一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空后，封烧石英管；

将石英管采用阶段性升温，先以40℃/h-50℃/h的升温速率升至500℃-550℃，恒温15-20h，继续升温至反应温度950-1100℃，恒温反应15-20h，最后自然降温至室温；

打开石英管，取出结晶较好的料块，用去离子水清洗干净，放置于烘箱中干燥处理，得到CdSiP₂靶材；

（3）将上述干燥后的绝缘基片的温度调至50-100℃，采用磁控溅射法，将所述铬掺杂二氧化钛靶材在所述绝缘基片上制成所述铁磁半导体薄膜材料；

磁控溅射制成所述铁磁半导体薄膜材料的具体条件为，溅射腔压强1-5Pa，溅射腔气氛为氩气，溅射功率为12-15W/cm²，沉积速率为10-100nm/min，溅射时间为3-5h。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤（1）中，所述切削需利用切削液进行，该切削液采用如下工艺制得：

向水中依次加入聚乙二醇、羟乙基乙二胺、三乙醇胺，混合均匀，静置20min，再加入FA/QB螯合剂，混合搅拌均匀，静置30min，得到切削液，其中切削液的各组分的重量百分比为：聚乙二醇15-25%，羟乙基乙二胺20-25%，三乙醇胺5-10%，FA/QB螯合剂10-15%，余量为水。