[发明专利]OLED器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710081898.3 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN106654070A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 裴磊;迟明明 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: oled 器件 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示器技术领域,特别是涉及一种OLED器件及其制作方法。

背景技术

随着OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光显示)技术的发展,用户对OLED色彩和灰度的显示要求越来越高。

目前通过RGB side-by-side制作的全彩AMOLED的过程中,先用Common Mask(CM)形成HIL(空穴注入)层和HTL(空穴传输)层,再形成EML(发光)层,最后形成ETL(电子传输)层、EIL(电子注入)层和透明阴极。对于用CM制备HIL和HTL层的器件在高灰阶显示时,各子像素的驱动电流较高,电阻较小,空穴在子像素间的窜扰电阻极大,因此窜扰电流可忽略不计。

然而,在低灰阶显示时,各子像素的驱动电流极低,随着电流的减小二极管的等效电阻急剧增大,即在低灰阶显示时,RR、RG和RB数值极大,与空穴的窜扰电阻约在同一量级。另外受材料特性影响,蓝光子像素驱动电压比红绿子像素高,所以RB大于RR和RG。由于EML层共用HIL层和HTL层,于是RBR和RBG会对RB形成分流作用,即蓝光子像素下的空穴会窜流至红绿子像素,导致OLED显示存在色偏。

因此,现有技术存在缺陷,急需改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改进的OLED器件及其制作方法。

为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:

本发明提供一种OLED器件的制作方法,包括以下步骤:

提供一基板,在所述基板上形成第一电极层;

在所述第一电极层上形成第一有机层,对所述第一有机层进行图形化处理,从而形成第一有机岛状图案、第二有机岛状图案以及第三有机岛状图案,相邻的有机岛状图案相互之间存在间隔,间隔处露出第一电极层;

在所述第一有机岛状图案上形成红光发光层,在所述第二有机岛状图案上形成蓝光发光层,以及在所述第三有机岛状图案上形成绿光发光层;

在发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层。

在本发明所述的OLED器件的制作方法中,所述第一有机岛状图案、所述第二有机岛状图案以及所述第三有机岛状图案相互之间等间隔设置,间隔距离为1μm~15μm。

本发明所述的OLED器件的制作方法中,对所述第一有机层进行图形化处理,从而形成第一有机岛状图案、第二有机岛状图案以及第三有机岛状图案的步骤包括:

在所述第一有机层上涂布光阻;

对涂布光阻后的第一有机层进行曝光、显影、刻蚀,从而形成第一有机岛状图案、第二有机岛状图案以及第三有机岛状图案。

在本发明所述的OLED器件的制作方法中,所述第一有机层包括空穴注入层和空穴传输层;在第一电极层上形成第一有机层的步骤包括:

在所述第一电极层上形成空穴注入层;

在所述空穴注入层上形成空穴传输层。

在本发明所述的OLED器件的制作方法中,所述第二有机层包括电子注入层和电子传输层;在所述第一电极层和所述发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层的步骤包括:

在所述第一电极层和所述发光层上形成电子传输入层;

在所述电子传输层上形成电子注入层;

在所述电子注入层上形成第二电极层。

本发明所述的OLED器件的制作方法中,在所述第一有机岛状图案上形成红光发光层,在所述第二有机岛状图案上形成蓝光发光层,在所述第三有机岛状图案上形成绿光发光层的步骤包括:

利用高精度金属掩膜版在所述第一有机岛状图案上形成红光发光层,在所述第二有机岛状图案上形成蓝光发光层,在所述第三有机岛状图案上形成绿光发光层。

在本发明所述的OLED器件的制作方法中,在第一电极层上形成第一有机层的步骤包括:

采用真空蒸镀工艺在第一电极层上形成第一有机层。

在本发明所述的OLED器件的制作方法中,在所述基板所述发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层的步骤包括:

采用真空蒸镀工艺在所述第一电极层和所述发光层上依次形成第二有机层以及第二电极层。

在本发明所述的OLED器件的制作方法中,所述第一电极层为ITO或IZO。

本发明提供一种OLED器件,包括:

基板;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710081898.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top