[发明专利]一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法

权利要求书

1.一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于包括：

第一步骤：形成具有存储器单元字线的半导体结构，所述半导体结构的存储器区域包括衬底、形成在衬底中的源极和漏极以及位于所述衬底上的浮栅结构，在所述漏极上引出有位线，在所述源极上引出有源线，所述存储器单元字线位于所述源线和位线之间；

第二步骤：对半导体结构执行化学机械研磨处理，在所述化学机械研磨处理中，存储器单元字线的关键尺寸小于220nm，在所述化学机械研磨处理之后，存储器单元字线暴露出与存储器单元字线邻接的浮栅隔离侧墙；

第三步骤：在半导体结构上形成硬掩膜层；

第四步骤：对硬掩膜层进行刻蚀，从而在暴露的浮栅隔离侧墙上形成硬掩膜覆盖物，所述硬掩膜覆盖物暴露出所述存储器单元字线的部分顶面，以控制所述存储器单元字线在后续字线化学机械研磨工艺中的关键尺寸。

2.根据权利要求1所述的改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于，两个浮栅结构之间具有源极多晶硅。

3.根据权利要求2所述的改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于，栅极结构具有形成在栅极结构和字线之间的浮栅隔离侧墙。

4.根据权利要求1或2所述的改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于，浮栅隔离侧墙的材料是氮化硅。

5.根据权利要求1或2所述的改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料是正硅酸乙脂。

6.根据权利要求1或2所述的改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于，所述化学机械研磨处理用于对字线多晶硅进行平坦化。

7.根据权利要求1或2所述的改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于，所述改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法用于制造分栅结构存储器。