[发明专利]相移底板掩模和光掩模

说明书

公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。

技术领域

本发明涉及一种相移底板掩模(blankmask)和光掩模，确切地说，涉及一种可以降低相移膜图案的反射率并提高印刷图案的精度的相移底板掩模和光掩模。

背景技术

在用于制造包括薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、有机发光二极管(OLED)、等离子显示板(PDP)等的平面显示(FPD)装置或用于制造半导体集成电路装置的光刻工艺中，由底板掩模形成的光掩模通常用于转移图案。

通过在由合成石英玻璃等组成的透明衬底的主表面上形成包括金属的薄膜，并且随后在薄膜上形成抗蚀膜来准备底板掩模。通过将底板掩模的薄膜图案化来准备光掩模。此处，薄膜可根据光学特性分类为光屏蔽膜、抗反射膜、相移膜、半透明膜、反射膜、硬膜等，并且可由这些薄膜中的两个或更多薄膜的组合实现。

随着市场最近需要FPD装置具有更高质量和更高功能，扩展FPD装置的应用领域并且需要高级制造技术。换言之，FPD装置的集成密度变得更高，类似于半导体装置，并且因此FPD装置被设计成具有精细图案。为了形成此类精细图案，需要高图案分辨率和高精度技术。

因此，为了提高用于制造FPD装置的光掩模的精度，已经开发出用于FPD装置的相移底板掩模和光掩模，包括相位相对于曝光光移动约180°的相移膜，所述曝光甚至在1:1放大曝光装置中具有i-线(365nm)、h-线(405nm)和g-线(436nm)的多个光谱线(波长)。相移膜是具有含硅化钼(MoSi)化合物或铬(Cr)化合物的单层的薄膜。形成在大面积衬底上的薄膜通过湿法蚀刻进行图案化。

图1是示出传统相移膜图案的照片。

参考图1，含有硅化钼(MoSi)化合物或铬(Cr)化合物的单层的相移膜在经历适于大面积衬底的湿法蚀刻时被各向同性地蚀刻，并且因此，相移膜图案的边缘处的蚀刻截面具有平缓坡度。

因此，图案的边缘处的坡度导致图案边缘与其他部分的边缘之间的透射率和相移度出现差异，从而对相移膜图案上的线宽的均匀性产生影响。此外，图案的边缘处的相移膜的坡度导致相移膜的边界不清晰，并且因此使得难以形成精细图案。

顺便说一下，如果在相移膜印刷时从顶层反射的曝光的比例较高，那么由反射造成的干涉波使得难以通过曝光形成精细图案。因此，对于曝光光而言，需要低反射率。

发明内容

本发明用来解决上述问题，并且本发明的一个目标是一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜在厚度上减少并且在边缘截面处具有陡峭坡度，以具有相移膜图案的清晰边界。

本发明的另一目标是提供一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜图案具有改进的截面，以增加相移膜图案的透射率和相移度的均匀性，并且改进相移膜图案和印刷图案的线宽的精度和均匀性。

本发明的又一目标是提供一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜的表面的反射率降低，以防止由入射反射光造成的干涉波，从而提高精细印刷图案的精度。

根据本发明的一方面，提供一种相移底板掩模，其包括在透明衬底上形成的相移膜，所述相移膜包括至少两个或更多层的多层膜，并且包括由氧(O)、氮(N)和碳(C)中的至少一个组成的金属硅化物化合物。

相对于具有对应于i-线(365nm)、h-线(405nm)和g-线(436nm)的多个波长的曝光光，所述相移膜可具有不高于35％的反射率。