[发明专利]相移底板掩模和光掩模

权利要求书

1.一种相移底板掩模，其包括在透明衬底上形成的相移膜，

所述相移膜包括至少具有两层或更多层的多层膜，并且包括金属硅化物化合物，该金属硅化物化合物含有氧(O)、氮(N)和碳(C)中的至少一者，

其中随着从顶部朝向所述透明衬底进一步向下，构成所述相移膜的所述膜的氮(N)含量增加，并且所述多层膜的每层都包含2at％到30at％的钼(Mo)、20at％到70at％的硅(Si)、5at％到40at％的氮(N)、0到30at％的氧(O)和0到30at％的碳(C)，

其中构成所述相移膜的所述膜中的顶层膜具有最高的氧含量，并且构成所述相移膜的所述膜中的顶层膜的碳(C)含量高于布置在下方的所述膜，并且

其中随着从所述透明衬底进一步向上，构成所述相移膜的所述膜相对于一种蚀刻剂的蚀刻速度降低，并且其中随着从顶部朝向所述透明衬底进一步向下，构成所述相移膜的所述膜的碳(C)含量降低。

2.根据权利要求1所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线(365nm)、h-线(405nm)和g-线(436nm)的多个波长的曝光光，所述相移膜具有不高于35％的反射率。

3.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜的膜由相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，并且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。

4.根据权利要求1所述的相移底板掩模，其中构成所述相移膜的所述膜中的每个形成单层或连续膜。

5.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有1％到40％的透射率。

6.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有不高于10％的透射率偏差。

7.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有160°到200°的相移度。

8.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中相对于具有对应于i-线、h-线和g-线的多个波长的曝光光，所述相移膜具有不高于40°的相移度偏差。

9.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜在400nm到900nm范围内的波长中的一定波长处具有最低反射率。

10.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述相移膜具有到的厚度，并且构成所述相移膜的所述膜中的每个具有到的厚度。

11.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其中所述金属硅化物化合物膜由硅(Si)和从下列选择的一个或多个金属组成：铝(Al)、钴(Co)、钨(W)、钼(Mo)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、铂(Pt)、锰(Mn)、铁(Fe)、镍(Ni)、镉(Cd)、锆(Zr)、镁(Mg)、锂(Li)、硒(Se)、铜(Cu)、钇(Y)、硫(S)、铟(In)、锡(Sn)、硼(B)、铍(Be)、钠(Na)、钽(Ta)、铪(Hf)和铌(Nb)，或者包括由所述金属硅化物和在氮(N)、氧(O)、碳(C)、硼(B)和氢(H)中选择的一个或多个轻元素组成的化合物。

12.根据权利要求1或2所述的相移底板掩模，其进一步包括布置在所述相移膜上的光屏蔽膜或者一层或多层金属膜。

13.根据权利要求12所述的相移底板掩模，其中所述金属膜包括半透反射膜、蚀刻停止膜和蚀刻掩模膜中的一个。