[发明专利]芯片封装器件及封装方法

说明书

本发明提供了一种芯片封装器件及封装方法，所述芯片封装方法包括：提供一承载板，所述承载板上设置有第一粘接层；将多个芯片间隔放置于所述第一粘接层上；采用塑封工艺在所述承载板上形成塑封层，所述塑封层填满多个所述芯片之间的间隙，形成塑封芯片；移除所述承载板与第一粘接层；在所述塑封芯片上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成开孔，在所述开孔内形成金属导体层以及芯片之间的互连电路；对所述塑封芯片进行切割，形成多个模块；采用本发明所述的芯片封装方法，能够减小芯片之间的距离，最终减小终端产品的面积，有利于实现终端产品的小型化。

技术领域

本发明涉及芯片封装的技术领域，特别涉及一种芯片封装器件及封装方法。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼具MOS的高输入阻抗和GTR(巨型晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，MOS驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1为现有技术中IGBT模块的封装结构示意图，如图1所示，所述封装结构包括：铝碳化硅散热板1，依次位于所述铝碳化硅散热板1之上的第一焊料层2、第一铜层3、陶瓷层4以及第二铜层5，位于所述第二铜层5上彼此隔开的第二焊料层6与第三铜层7，以及位于所述第二焊料层6上的彼此隔开的二极管芯片8与IGBT 9。所述二极管芯片8、IGBT 9以及第三铜层7通过导线10相连接。

所述导线10一般为金线、铝线或铜线，线连接的缺点是导线长，电阻大，电能转换成不必要的热能。功率器件的金属线为保证低电阻率，和加强散热，必须使用粗线，在0.1毫米以上，普通的只有0.25毫米。这样就使芯片与衬底的互联距离很大，芯片之间的互联也要比普通芯片大，使得终端产品面积比较大。

因此，提供一种缩小芯片之间距离的封装，减小终端产品面积是本领域技术人员亟需解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片封装器件及封装方法，减小芯片之间的距离，最终减小终端产品的面积。

本发明的技术方案是一种芯片封装方法，包括以下步骤：

步骤S01：提供一承载板，所述承载板上设置有第一粘接层；

步骤S02：将多个芯片间隔放置于所述第一粘接层上；

步骤S03：采用塑封工艺在所述承载板上形成塑封层，所述塑封层填满多个所述芯片之间的间隙，形成塑封芯片；

步骤S04：移除所述承载板与第一粘接层；

步骤S05：在所述塑封芯片上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成开孔，在所述开孔内形成金属导体层以及芯片之间的互连电路；

步骤S06：对所述塑封芯片进行切割，形成多个模块。

进一步的，还包括：

步骤S07：提供一基板，所述基板上形成有多个金属垫结构，所述金属垫结构与所述模块内的芯片一一对应；

步骤S08：在所述金属垫结构上形成第二粘接层；

步骤S09：将所述模块远离所述绝缘层的一侧粘接至所述基板。

进一步的，所述第二粘接层的材料为焊锡；在步骤S09中，将所述模块用贴片机放置于所述基板上，通过回流炉，使所述模块远离所述绝缘层的一侧粘接至所述基板。