[发明专利]用于三相电机控制的MOS管全桥功率模块

说明书

本发明涉及功率器件技术领域，具体为一种用于三相电机控制的MOS管全桥功率模块。现有的功率MOS管作为功率控制器件使用时，通常将多个单独的功率MOS管串联或并联，不仅安装工艺复杂，而且还存在体积大、散热性差、均流性和一致性差等缺点，针对这个问题，本发明公开了一种用于三相电机控制的MOS管全桥功率模块，包括焊接于基板上且封装于壳体内的Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、R1、R2、R3、R4、R5、R6、C1、C2、C3、C4、C5、C6、电源正极接线端和电源负极接线端，本发明将功率MOS管集成在模块内部，无需单独安装，安装简便，功率MOS管不受封装限制，均流性和一致性好，模块体积小、散热性能好。

技术领域

本发明涉及功率器件技术领域，具体为一种用于三相电机控制的MOS管全桥功率模块。

背景技术

三相电机需要三相电源驱动，为了保证电源的稳定性，通常需要在电源和电机之间增加控制电路，这其中包括功率控制电路，而功率MOS管作为主流的功率控制器件，其使用方式通常为：将多个单独的功率MOS管串联或并联，再连接一定的外围电路，从而构成所需的功率控制电路，这种控制电路在使用时存在以下问题：

1.功率MOS管安装时，不仅安装工艺复杂，操作人员容易出力不均导致功率MOS管受损，而且普通的功率MOS管通常还需要安装绝缘粒子，操作人员如果安装不到位，就会使绝缘粒子受损，无法起到绝缘作用；

2.功率MOS管体积大、散热性能差；

3.功率MOS管受封装限制导致均流性、一致性差；

4.控制电路的温度监测器受制于功率MOS管的外形及安装方式，无法精确监测功率MOS管的实际温度，从而导致控制器对温度的反馈控制不够及时和准确；

5.功率MOS管的封装形式及在控制器上的安装方式(多个功率MOS管并排直插)导致控制器的抗电磁干扰能力较弱；

6.功率MOS管在控制器上的安装方式(多个功率MOS管并排直插)限制了控制器电源线和信号线的布局。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供一种安装简单方便、无需增加绝缘粒子、体积小、散热好、均流性和一致性好、利于控制器温度监测和电源线、信号线布局且抗电磁干扰能力强的用于三相电机控制的MOS管全桥功率模块。

为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：

一种用于三相电机控制的MOS管全桥功率模块，包括焊接于基板上且封装于壳体内的Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、R1、R2、R3、R4、R5、R6、C1、C2、C3、C4、C5、C6、电源正极接线端和电源负极接线端；

所述Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和Q6均为功率型MOS管；

所述Q1的栅极前端串接有R1，Q1的栅极和源极之间串接有C1，Q1的源极与Q4的漏极相连且作为三相电机的U相驱动端,Q4的栅极前端串接有R4，Q4的栅极和源极之间串接有C4；

所述Q2的栅极前端串接有R2，Q2的栅极和源极之间串接有C2，Q2的源极与Q5的漏极相连且作为三相电机的V相驱动端,Q5的栅极前端串接有R5，Q5的栅极和源极之间串接有C5；

所述Q3的栅极前端串接有R3，Q3的栅极和源极之间串接有C3，Q3的源极与Q6的漏极相连且作为三相电机的W相驱动端,Q6的栅极前端串接有R6，Q6的栅极和源极之间串接有C6；

所述电源正极接线端分别与Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和Q6的漏极相连，所述电源负极接线端分别与Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和Q6的源极相连；

所述壳体外部具有引脚1、引脚2、引脚3、引脚4、引脚5、引脚6、引脚7、引脚8、引脚9、引脚10、引脚11、引脚12、引脚13、引脚14、引脚15、引脚16和引脚17；