[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

说明书

一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板和多个像素单元，像素单元包括像素电极和公共电极。像素电极和公共电极分别包括沿第一方向并列布置多个第一像素电极条和多个第一公共电极条，每个第一公共电极条与至少一个第一像素电极条重叠。像素单元包括至少一个像素单元子区域，像素单元子区域具有子区域对称轴，像素电极在像素单元子区域中的第一像素电极条和公共电极在像素单元子区域中的第一公共电极条分别相对于子区域对称轴对称设置。在子区域对称轴的任一侧，第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个第一像素电极条更远离或者更靠近子区域对称轴。该阵列基板降低了工艺波动引起的显示面板的透过率波动。

技术领域

本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。

背景技术

由于具有高级超维场转换(Advanced super Dimension Switch，简称ADS)显示模式的显示面板具有宽视角的优势，因而广泛应用于显示装置中。然而由于采用ADS显示技术的显示面板的像素电极与公共电极交叠区域构成存储电容过大，导致薄膜晶体管充电时间较长，因此亟需降低采用ADS显示技术的显示面板的存储电容。通常降低ADS型显示面板存储电容的方法为增加像素电极与公共电极之间绝缘层厚度或者降低开口率来减少像素电极与公共电极的交叠面积。对于第一种方法，会增加显示面板的制造难度和制造成本；对于第二种方法，会降低显示面板的开口率，上述两种方法均与消费者对显示装置的期望相背离。

发明内容

本公开的一个实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板以及在所述衬底基板上按阵列布置的多个像素单元。每个所述像素单元包括像素电极和与所述像素电极位于不同层的公共电极。所述像素电极包括多个第一像素电极条和位于相邻的第一像素电极条之间的多个第一狭缝，所述多个第一像素电极条沿第一方向并列布置。所述公共电极包括多个第一公共电极条和位于相邻的第一公共电极条之间的多个第二狭缝，所述多个第一公共电极条沿所述第一方向并列布置；每个所述第一公共电极条与至少一个所述第一像素电极条重叠。所述像素单元包括至少一个像素单元子区域，所述像素单元子区域具有子区域对称轴，所述像素电极在所述像素单元子区域中的第一像素电极条和所述公共电极在所述像素单元子区域中的第一公共电极条分别相对于所述子区域对称轴对称设置。在所述像素单元子区域中，在所述子区域对称轴的任一侧，所述第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个所述第一像素电极条更远离或者更靠近所述子区域对称轴。

本公开的一个实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。

本公开的另一个实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

本公开的再一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括提供衬底基板，以及在所述衬底基板上形成按阵列布置的多个像素单元。每个所述像素单元包括像素电极和与所述像素电极位于不同层的公共电极。所述像素电极包括多个第一像素电极条和位于相邻的第一像素电极条之间的多个第一狭缝，所述多个第一像素电极条沿第一方向并列布置。所述公共电极包括多个第一公共电极条和位于相邻的第一公共电极条之间的多个第二狭缝，所述多个第一公共电极条沿所述第一方向并列布置；每个所述第一公共电极条与至少一个所述第一像素电极条重叠。所述像素单元包括至少一个像素单元子区域，所述像素单元子区域具有子区域对称轴，所述像素电极在所述像素单元子区域中的第一像素电极条和所述公共电极在所述像素单元子区域中的第一公共电极条分别相对于所述子区域对称轴对称设置。在所述像素单元子区域中，在所述子区域对称轴的任一侧，所述第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个所述第一像素电极条更远离或者更靠近所述子区域对称轴。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。

图1是一种低存储电容式显示面板的剖面示意图；