[发明专利]晶体管存储器

权利要求书

1.一种晶体管存储器，其特征在于，包括：

门电极层；

阻隔介电层，所述阻隔介电层位于所述门电极层上；

纳米浮动栅层，所述纳米浮动栅层位于所述阻隔介电层上，所述纳米浮动栅层是由金属纳米颗粒构成的，所述金属纳米颗粒之间的距离为4-5nm；

隧穿介电层，所述隧穿介电层位于所述纳米浮动栅层上；

源极层，所述源极层位于所述隧穿介电层上；

漏极层，所述漏极层位于所述隧穿介电层上；以及

活性材料层，所述活性材料层位于所述隧穿介电层上，且设置在所述源极层和所述漏极层之间，所述活性材料层是由石墨烯-聚噻吩复合材料形成的，所述石墨烯-聚噻吩复合材料中的石墨烯为金属酞菁修饰的石墨烯，所述石墨烯-聚噻吩复合材料是由所述金属酞菁修饰的石墨烯和3-己基噻吩聚合物按质量比1000：(1-5)制备得到的。

2.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述金属酞菁修饰的石墨烯和3-己基噻吩聚合物的质量比为1000：3。

3.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述门电极层是由银构成的。

4.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述阻隔介电层是由氧化铝构成的。

5.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述隧穿介电层由氧化铝构成的。

6.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述源极层是由金构成的。

7.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述漏极层是由金构成的。

8.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述纳米浮动栅层的厚度为15-25nm。

9.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述纳米浮动栅层的厚度为20nm。

10.根据权利要求1所述的晶体管存储器，其特征在于，所述金属纳米颗粒是由金纳米颗粒、银纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种构成的。