[发明专利]柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法有效
申请号: | 201710032252.6 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN106997845B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 王朝仁;何家充 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/13;H01L23/14 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 衬底 修补 结构 制造 方法 检测 | ||
本发明提供一种柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法。柔性衬底修补结构包括柔性衬底与至少一修补层。柔性衬底具有规则凹陷。至少一修补层位于柔性衬底上且填满规则凹陷,其中至少一修补层的材料包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物,其中Rx、Ry及Rz分别为氢原子或碳数为1~10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。通过修补层的形成以避免或减少柔性衬底上的膜层产生裂纹或是断裂等问题。
技术领域
本发明涉及基板制造领域,特别涉及柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法。
背景技术
在柔性衬底(又称柔性基板、挠性基板)的制造、后处理(post-treatment)与传送过程中,均有可能在其表面或是内部产生缺陷。经检测后,具有这些缺陷的柔性衬底可能被判定为废品,而提高制造成本。否则,在具有这些缺陷的柔性衬底上继续进行后续的加工生产,将使产品合格率下降。因此,如何修补柔性衬底的缺陷,成为本领域重要的课题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明目的在于提供一种柔性衬底修补结构,提高产品良品率,提供一种柔性衬底修补结构的制造方法,降低修补层与柔性衬底之间色差,以及提供一种柔性衬底的检测与修补方法,减少柔性衬底的废品率,进而降低制造成本。
具体地说,本发明公开了一种柔性衬底修补结构,包括:
柔性衬底,具有规则凹陷;以及
至少一修补层,位于所述柔性衬底上且填满所述规则凹陷,
其中所述至少一修补层的材料为聚硅氮烷化合物,其包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物,
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1~10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
所述的柔性衬底修补结构,其中所述规则凹陷为具有平滑轮廓的凹陷。
所述的柔性衬底修补结构,其中所述规则凹陷的开口形状包括圆形、椭圆形、矩形或多边形。
所述的柔性衬底修补结构,其中在与所述柔性衬底接触的修补层中,邻近于所述柔性衬底的一侧的氮原子百分比低于其远离所述柔性衬底的另一侧的氮原子百分比。
所述的柔性衬底修补结构,其中所述至少一修补层为多数个修补层。
所述的柔性衬底修补结构,其中所述多数个修补层的氮原子百分比的变化在所述柔性衬底的法线方向上为高低交替。
本发明还公开了一种柔性衬底修补结构的制造方法,包括:
将修补溶液涂布于柔性衬底上,其中所述修补溶液的毛细管指数小于10-5;
去除所述修补溶液中的溶剂而形成至少一修补材料层;以及
进行光学调整步骤,以改变所述至少一修补材料层的折射率,而形成所述至少一修补层。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法,所述修补溶液的溶质包括具有以下化学式(1)所示的单元的硅氮烷化合物,
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1~10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法,其中所述光学调整步骤包括调整所述至少一修补材料层中的氮原子百分比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造