[发明专利]柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法有效
申请号: | 201710032252.6 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN106997845B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 王朝仁;何家充 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/13;H01L23/14 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 衬底 修补 结构 制造 方法 检测 | ||
1.一种柔性衬底修补结构,其特征在于,包括:
柔性衬底,具有规则凹陷,其中所述规则凹陷自所述柔性衬底的内部延伸至所述柔性衬底的表面;以及
至少一修补层,位于所述柔性衬底上且填满所述规则凹陷,
其中所述至少一修补层的材料为聚硅氮烷化合物,其包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物,
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1~10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基,
其中所述柔性衬底的表面经处理而具有亲水性官能基,所述至少一修补层通过进行热处理或等离子体处理,以使所述柔性衬底与所述至少一修补层的整体的有效折射率与所述柔性衬底的折射率相匹配;
其中所述至少一修补层经所述热处理之前的折射率大于所述至少一修补层经所述热处理之后的折射率,且所述至少一修补层经所述等离子体处理之前的折射率小于所述至少一修补层经所述等离子体处理之后的折射率。
2.如权利要求1所述的柔性衬底修补结构,其特征在于,所述规则凹陷为具有平滑轮廓的凹陷。
3.如权利要求2所述的柔性衬底修补结构,其特征在于,所述规则凹陷的开口形状包括圆形、椭圆形或多边形。
4.如权利要求1所述的柔性衬底修补结构,其特征在于,在与所述柔性衬底接触的修补层中,邻近于所述柔性衬底的一侧的氮原子百分比低于其远离所述柔性衬底的另一侧的氮原子百分比。
5.如权利要求1所述的柔性衬底修补结构,其特征在于,所述至少一修补层为多数个修补层。
6.如权利要求5所述的柔性衬底修补结构,其特征在于,所述多数个修补层的氮原子百分比的变化在所述柔性衬底的法线方向上为高低交替。
7.一种柔性衬底修补结构的制造方法,其特征在于,包括:
将修补溶液涂布于柔性衬底上,其中所述修补溶液的毛细管指数小于10-5,所述柔性衬底具有规则凹陷,且所述规则凹陷自所述柔性衬底的内部延伸至所述柔性衬底的表面;
去除所述修补溶液中的溶剂而形成至少一修补材料层;以及
进行光学调整步骤,所述光学调整步骤包括对所述至少一修补材料层进行热处理或等离子体处理,以改变所述至少一修补材料层的折射率,而形成至少一修补层,并使所述柔性衬底与所述至少一修补层的整体的有效折射率与所述柔性衬底的折射率相匹配,
其中所述柔性衬底的表面经处理而具有亲水性官能基;
其中,对所述至少一修补材料层进行所述热处理之后,形成的所述至少一修补层的折射率小于所述至少一修补材料层的折射率;且对所述至少一修补材料层进行所述等离子体处理之后,形成的所述至少一修补层的折射率大于所述至少一修补材料层的折射率,
其中所述修补溶液的溶质包括具有以下化学式(1)所示的单元的硅氮烷化合物,
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1~10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
8.如权利要求7所述的柔性衬底修补结构的制造方法,其特征在于,所述光学调整步骤包括调整所述至少一修补材料层中的氮原子百分比。
9.如权利要求7或8所述的柔性衬底修补结构的制造方法,其特征在于,对所述至少一修补材料层进行热处理,以降低所述至少一修补材料层的氮原子百分比。
10.如权利要求9所述的柔性衬底修补结构的制造方法,其特征在于,还包括在进行所述热处理之后,对所述至少一修补层进行后处理,以降低所述至少一修补层的氮原子百分比。
11.如权利要求7或8所述的柔性衬底修补结构的制造方法,其特征在于,对所述至少一修补材料层进行等离子体处理,以提高所述至少一修补材料层的氮原子百分比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造