[发明专利]介电陶瓷组合物和含有该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种介电陶瓷组合物，该介电陶瓷组合物含有：

用Ba_mTiO₃表示的基材粉末，m满足0.995≤m≤0.998；

以100mol所述基材粉末为基准的0.2-2.0mol的第一附加成分，所述第一附加成分含有氧化Ba或碳化Ba，和氧化Ca或碳化Ca；所述第一附加成分不含有Mg或MgO；

第二附加成分，所述第二附加成分为含硅的氧化物或含硅的玻璃复合物；

以100mol所述基材粉末为基准的0.2-1.5mol的第三附加成分，所述第三附加成分为含Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的氧化物；以及

以100mol所述基材粉末为基准的0.05-0.80mol的第四附加成分，所述第四附加成分为含Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种的氧化物，

其中，所述第一附加成分与所述第二附加成分的含量比为0.5-1.7。

2.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述基材粉末具有5.0m²/g以下的比表面积。

3.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述第一附加成分的含量为0.5-1.5mol。

4.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述第一附加成分与所述第二附加成分的含量比为0.7-1.2。

5.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述第三附加成分的含量为0.5-1.0mol。

6.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述第四附加成分的含量为0.1-0.4mol。

7.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物还含有以100mol所述基材粉末为基准的0.05-0.3mol的氧化钒。

8.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物还含有以100mol所述基材粉末为基准的0.05-0.5mol的氧化铝。

9.一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：

陶瓷体，其中介电层以及第一和第二内部电极交替堆叠；以及

第一和第二外部电极，所述第一和第二外部电极在所述陶瓷体的两个末端形成并与所述第一和第二内部电极电连接，

其中，所述介电层含有陶瓷组合物，该陶瓷组合物含有用Ba_mTiO₃表示的基材粉末，m满足0.995≤m≤0.998；以100mol所述基材粉末为基准的0.2-2.0mol的第一附加成分，所述第一附加成分含有氧化Ba或碳化Ba，和氧化Ca或碳化Ca，所述第一附加成分不含有Mg或MgO；第二附加成分，所述第二附加成分为含Si的氧化物或含Si的玻璃复合物；以100mol所述基材粉末为基准的0.2-1.5mol的第三附加成分，所述第三附加成分为含Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的氧化物；以及以100mol所述基材粉末为基准的0.05-0.80mol的第四附加成分，所述第四附加成分为含Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种的氧化物；所述第一附加成分与所述第二附加成分的含量比为0.5-1.7。

10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述基材粉末具有5.0m²/g以下的比表面积。

11.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一附加成分的含量为0.5-1.5mol。

12.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一附加成分与所述第二附加成分的含量比为0.7-1.2。

13.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第三附加成分的含量为0.5-1.0mol。

14.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第四附加成分的含量为0.1-0.4mol。

15.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述陶瓷组合物还含有以100mol所述基材粉末为基准的0.05-0.3mol的氧化钒。

16.根据权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述陶瓷组合物还含有以100mol所述基材粉末为基准的0.05-0.5mol的氧化铝。