[发明专利]一种防止CBO晶体生长过程掉入熔体的方法

说明书

技术领域

本发明属于一种人工晶体生长领域，特别是CBO晶体生长。

背景技术

三硼酸铯（化学式CsB3O5，简称CBO）是硼酸盐中一种新型的非线性晶体，非线性系数和LBO大致相同，紫外波段透光能力优于BBO，抗激光损伤阈值高于BBO，特别在晶体制备上优于BBO和LBO，CBO是同成分熔融化合物，不用采用外加助熔剂，可以有效减少助熔剂带来影响。

该晶体虽然在某些方面具有比BBO和LBO更好的性能，但是该晶体具有潮解性，以及生长过程挥发严重，在晶体生长过程，随着晶体长大，籽晶容易断掉，晶体掉入熔体，给生长完整晶体带来困难。

发明内容

本发明采用铂金片包裹籽晶，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，见图1，晶体下种过程中，籽晶末端2mm浸入熔体，利用熔体封住铂片和籽晶交界处，该方法使的籽晶不再裸露于空气中，一方面防止挥发物腐蚀籽晶，另一方面又防止籽晶潮解；使得晶体生长过程，籽晶不再断掉，得到完整的晶体毛坯。

附图说明

图1是籽晶示意图。

具体实施方式

称取一定量的碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％（摩尔百分比），于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入φ60坩埚，然后放入熔盐炉中生长，将籽晶用铂片包裹，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，籽晶于饱和温度点高5℃条件下下种，籽晶浸没熔体2mm，然后温度降回饱和温度，开始生长，经过3个月得到完整晶体。