[发明专利]阵列基板、显示面板及其制造方法

说明书

本发明涉及一种阵列基板、显示面板及其制造方法。所述阵列基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的第一电极，设置在所述第一电极上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的第二电极，所述第二电极沿平行于所述衬底基板的表面的方向而彼此间隔设置，所述第一电极具有在垂直于所述衬底基板的表面的方向上与所述第二电极相重叠的重叠部，其中，所述第一电极为公共电极和像素电极中的一者，所述第二电极为公共电极和像素电极中的另一者，其中，所述第一电极的所述重叠部和所述第二电极的至少一者具有朝向所述衬底基板的凹陷，且所述凹陷的开口的面积大于所述凹陷的底部的面积。

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置、阵列基板的制造方法以及显示面板的制造方法。

背景技术

液晶显示装置是一种广泛应用的显示装置。液晶显示装置主要包括阵列基板和与阵列基板相对设置的彩膜基板。液晶显示装置通常包括垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。在垂直电场型液晶显示装置中，像素电极和公共电极分别设置于阵列基板和与彩膜基板上。而在水平电场型液晶显示装置中，像素电极和公共电极都设置在液晶显示装置的阵列基板上。

对于水平电场型液晶显示装置，公共电极和像素电极位于显示装置的阵列基板的不同膜层中，公共电极和像素电极之间形成有边缘电场电容和存储电容。边缘场电容提供用于控制液晶分子的偏转的电压。存储电容可以减小边缘场电容的漏电，以增加像素电极的电压保持能力。

发明内容

本发明的实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置、阵列基板的制造方法以及显示面板的制造方法，能够解决现有技术中的公共电极和像素电极之间的存储电容的电位下降导致的液晶偏转下降的问题。

本发明的一个目的在于提供一种阵列基板。

本发明的第一方面提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的第一电极，设置在所述第一电极上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的第二电极，所述第二电极沿平行于所述衬底基板的表面的方向而彼此间隔设置，所述第一电极具有在垂直于所述衬底基板的表面的方向上与所述第二电极相重叠的重叠部，其中，所述第一电极为公共电极和像素电极中的一者，所述第二电极为公共电极和像素电极中的另一者，其中，所述第一电极的所述重叠部和所述第二电极的至少一者具有朝向所述衬底基板的凹陷，且所述凹陷的开口的面积大于所述凹陷的底部的面积。

在一个实施例中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述像素电极之间的第二绝缘层。

在一个实施例中，所述凹陷包括被设置在所述公共电极中的第一凹陷。

在一个实施例中，所述凹陷还包括设置在所述像素电极的所述重叠部中的第二凹陷。

在一个实施例中，所述第一绝缘层与所述阵列基板的薄膜晶体管的钝化层被一体形成，所述第二绝缘层与所述薄膜晶体管的栅极绝缘层被一体形成。

在一个实施例中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述阵列基板还包括：位于所述公共电极和所述第一绝缘层之间的第三绝缘层。

在一个实施例中，所述凹陷包括设置在所述像素电极中的第三凹陷。

在一个实施例中，所述第一绝缘层与所述阵列基板的薄膜晶体管的钝化层被一体形成，所述第三绝缘层与所述薄膜晶体管的栅极绝缘层被一体形成。

在一个实施例中，所述凹陷的深度不超过500nm，且所述第二电极的长度与所述第二电极之间的间隔的比值为3/5。

本发明的另一个目的在于提供一种显示面板。

本发明的第二方面提供了一种显示面板。所述显示面板包括如上所述的阵列基板。