[发明专利]阵列基板、显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201710003667.0 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN106647059B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 蒋学兵;王慧;孙静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;李峥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的像素电极,设置在所述像素电极上的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的公共电极,所述公共电极沿平行于所述衬底基板的表面的方向而彼此间隔设置,
其特征在于,所述像素电极具有在垂直于所述衬底基板的表面的方向上与所述公共电极相重叠的重叠部和位于所述重叠部之间的平坦部,所述重叠部和所述公共电极的均具有朝向所述衬底基板的凹陷,且所述凹陷的开口的面积大于所述凹陷的底部的面积,并且其中,所述重叠部的凹陷与所述公共电极的凹陷一一对应。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板和所述像素电极之间的第二绝缘层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述第一绝缘层与所述阵列基板的薄膜晶体管的钝化层被一体形成,
所述第二绝缘层与所述薄膜晶体管的栅极绝缘层被一体形成。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,其中,所述凹陷的深度不超过500nm,且所述公共电极的长度与所述公共电极之间的间隔的比值为3/5。
5.一种显示面板,包括根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板。
6.一种显示装置,包括根据权利要求5所述的显示面板。
7.一种阵列基板的制造方法,包括:在衬底基板上设置像素电极,在所述像素电极上设置第一绝缘层,在所述第一绝缘层上设置沿着平行于所述衬底基板的表面的方向上彼此间隔开的公共电极,
其特征在于,所述像素电极和所述公共电极被配置为:所述像素电极具有在垂直于所述衬底基板的表面的方向上与所述公共电极相重叠的重叠部和位于所述重叠部之间的平坦部,所述重叠部和所述公共电极的均具有朝向所述衬底基板的凹陷,且所述凹陷的开口的面积大于所述凹陷的底部的面积,并且其中,所述重叠部的凹陷与所述公共电极的凹陷一一对应。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法,其中,在所述衬底基板上设置像素电极包括:
在所述衬底基板上设置第二绝缘材料层;
对所述第二绝缘材料层进行构图,以形成具有第一凹槽的第二绝缘层,且所述第一凹槽在垂直于所述衬底基板的表面的方向上与所述凹陷相重叠;
在所述第二绝缘层上设置所述像素电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法,其中,所述第一绝缘层与所述阵列基板的薄膜晶体管的钝化层被一体形成,所述第二绝缘层与所述薄膜晶体管的栅极绝缘层被一体形成。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的阵列基板的制造方法,其中,所述凹陷的深度不超过500nm,且所述公共电极的长度与所述公共电极之间的间隔的比值为3/5。
11.一种显示面板的制造方法,包括根据权利要求7-10中任一项所述的阵列基板的制造方法。
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