[发明专利]一种掩膜板、显示基板及其制作方法有效
申请号: | 201710003384.6 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN106773521B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 江鹏;王德君;杨海鹏;戴珂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 显示 及其 制作方法 | ||
1.一种掩膜板,所述掩膜板包括第一区域和环设在所述第一区域外围的第二区域,所述第一区域用于制作显示基板的显示区域,所述第二区域用于制作显示基板的非显示区域,其特征在于,所述第二区域分割为至少两个环状的子掩膜区域,所述子掩膜区域环设在所述第一区域的外围;
所述子掩膜区域包括至少一个端子图形区,每一端子图形区设置有多个端子图形,所述端子图形用在所述显示基板上制作端子;
所述第二区域还包括多条第一连接图形,所述第一连接图形用于在所述显示基板上制作第一桥接线,所述第一连接图形从其中一个子掩膜区域延伸至相邻的另一子掩膜区域;相邻两个子掩膜区域对应的两个端子图形通过所述第一连接图形连接,其中,所述对应的两个端子图形在显示基板上制作的两个端子用于传输同一信号;
在第一区域的同一侧,相邻两个子掩膜区域的端子图形的位置一一对应,且位置对应的端子图形通过所述第一连接图形连接。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,每一子掩膜区域还包括用于在显示基板上制作第一信号线的第一掩膜图形;
所述第二区域还包括多条第二连接图形,所述第二连接图形用于在显示基板上制作第二桥接线,所述第二连接图形从其中一个子掩膜区域延伸至相邻的另一子掩膜区域;相邻两个子掩膜区域的第一掩膜图形通过第二连接图形连接。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板还包括用于在显示基板上制作栅极驱动电路的第二掩膜图形;
所述第二掩膜图形位于最靠近所述第一区域的子掩膜区域内。
4.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,每一子掩膜区域的端子图形区包括用于在显示基板上制作连接源极驱动芯片的源极端子图形区;
每一子掩膜区域的端子图形区还包括用于在显示基板上制作连接栅极驱动芯片的栅极端子图形区,所述栅极端子图形区与所述源极端子图形区位于第一区域的相邻两侧。
5.一种利用权利要求1-4任一项所述的掩膜板制得的显示基板,所述显示基板包括显示区域和环设在所述显示区域外围的非显示区域,其特征在于,所述非显示区域分割为至少两个环状的子非显示区域,所述子非显示区域环设在所述显示区域的外围;
所述子非显示区域包括至少一个端子区,每一端子区设置有多个端子;
所述非显示区域还包括多条第一桥接线,所述第一桥接线从其中一个子非显示区域延伸至相邻的另一子非显示区域;相邻两个子非显示区域对应的两个端子通过所述第一桥接线连接,其中,所述对应的两个端子用于传输同一信号;
所述显示基板还包括至少一条切割线,所述切割线设置在子非显示区域的远离显示区域的外边缘的外侧,并靠近该外边缘设置,沿所述切割线可对所述显示基板进行切割,以将显示基板切割为所需的尺寸。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,每一子非显示区域还包括第一信号线;
所述非显示区域还包括多条第二桥接线,所述第二桥接线从其中一个子非显示区域延伸至相邻的另一子非显示区域;相邻两个子非显示区域的第一信号线通过第二桥接线连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,对于相邻两个子非显示区域,位于远离显示区域一侧的子非显示区域的第一信号线的线宽大于位于靠近显示区域一侧的子非显示区域的第一信号线的线宽。
8.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板,所述非显示区域还包括栅极驱动电路,所述栅极驱动电路位于最靠近所述显示区域的子非显示区域内。
9.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板,每一子非显示区域的端子区包括用于连接源极驱动芯片的源极端子区;
每一子非显示区域的端子区还包括用于连接栅极驱动芯片的栅极端子区,所述栅极端子区与所述源极端子区位于显示区域的相邻两侧。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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