[发明专利]显示屏及其控制方法、显示装置有效
申请号: | 201710003222.2 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106783888B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 孟虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 及其 控制 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示屏及其控制方法、显示装置,属于显示技术领域。所述显示屏包括:显示面板和控制电路,所述显示面板中阵列基板中的薄膜晶体管包括:源极、漏极、有源层和n个栅极,所述控制电路分别与所述n个栅极中的目标栅极和辅助栅极相连接,所述控制电路用于在关态时间段向目标栅极输入第一关态电压,在所述关态时间段向辅助栅极输入第二关态电压,使得在所述n个栅极上电压的作用下,所述有源层中形成目标PN结,所述目标PN结的正向导通方向与所述有源层中除所述目标PN结所在区域之外的区域中电流的流动方向相反。本发明解决了TFT无法正常使用的问题,实现了TFT能够正常使用的效果,本发明用于显示屏。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示屏及其控制方法、显示装置。
背景技术
显示屏包括显示面板和阵列基板行驱动(英文:Gate driver On Array;简称:GOA)电路,其中,显示面板包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板,以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶。阵列基板包括衬底基板以及形成在衬底基板上的阵列排布的多个薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称TFT)。
相关技术中,薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层,其中,栅极、电极和漏极的材质均为金属,有源层的材质为半导体型碳纳米管。当栅极上施加的电压达到开态电压(通常大于阈值电压)时,有源层将源极和漏极导通,此时,TFT处于开态,TFT中的电流较大,源极上的数据信号能够传输至漏极;当栅极上施加的电压为关态电压(通常小于阈值电压)时,有源层无法将源极和漏极导通,TFT处于关态,TFT中的电流较小,源极上的数据信号无法传输至漏极。
但是,当以半导体型碳纳米管为有源层的TFT覆盖无机钝化层后,有源层中的载流子较容易出现双极性传导的现象(即在超过阈值电压的较大正电压下,载流子为电子,在低于阈值电压的较大负电压下,载流子为空穴,在阈值电压附近,载流子为电子和空穴),从而使得在控制TFT处于关态时,TFT中的源漏电流较大,TFT的关态电流较大,因此,TFT无法正常使用。
发明内容
为了解决TFT无法正常使用的问题,本发明提供了一种显示屏及其控制方法、显示装置。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种显示屏,所述显示屏包括:显示面板和控制电路,
所述显示面板中阵列基板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:源极、漏极、有源层和n个栅极,所述有源层的材质为半导体型碳纳米管,所述n为大于或等于2的整数,
所述控制电路分别与所述n个栅极中的目标栅极和辅助栅极相连接,所述目标栅极和所述辅助栅极不同,所述控制电路用于在关态时间段向目标栅极输入第一关态电压,在所述关态时间段向辅助栅极输入第二关态电压,使得在所述n个栅极上电压的作用下,所述有源层中形成目标正负PN结,所述目标PN结的正向导通方向与所述有源层中除所述目标PN结所在区域之外的区域中电流的流动方向相反。
可选的,所述控制电路包括:阵列基板行驱动GOA电路和辅助电路,
所述GOA电路与所述目标栅极相连接,所述辅助电路与所述辅助栅极相连接,所述GOA电路用于在所述关态时间段向所述目标栅极输入第一关态电压,所述辅助电路用于在所述关态时间段向所述辅助栅极输入第二关态电压。
可选的,所述n为大于或等于3的整数,所述n个栅极包括:x个第一栅极和y个第二栅极,所述x和所述y均为大于或等于1的整数,且x+y=n,所述x个第一栅极和所述y个第二栅极间隔设置,
所述x个第一栅极中与第二栅极相邻的第一栅极为目标栅极,所述y个第二栅极中与第一栅极相邻的第二栅极为辅助栅极,所述GOA电路与所述目标栅极相连接,所述辅助电路与所述辅助栅极相连接;
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的