[发明专利]一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器，包括具有p-i-n结构的InGaN量子点光电探测器本体，其特征在于：所述InGaN量子点光电探测器本体包括由下往上依次设置的衬底（1）、n型GaN层（2）、InGaN/GaN量子点结构层（3）和p型GaN层（4），其中所述p型GaN层（4）的表面（41）上设置有p型GaN欧姆接触结构（6），所述InGaN量子点光电探测器本体的一侧设置有缺口（5），通过所述缺口（5）使n型GaN层（2）露出表面（21），且在该表面（21）上设置有n型GaN欧姆接触结构（7），所述InGaN/GaN量子点结构层（3）为(InGaN)n/(GaN)(n+1)的周期性结构，周期数n为1-20，每层InGaN量子点的厚度为1-5nm。

2.根据权利要求1所述的用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器，其特征在于：所述衬底（1）为蓝宝石衬底、SiC衬底、GaN衬底、AlN衬底或MoW衬底。

3.根据权利要求1所述的用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器，其特征在于：所述n型GaN层（2）、InGaN/GaN量子点结构层（3）和p型GaN层（4）采用金属有机物化学气相衬底外延法（MOCVD）、分子束外延法(MBE)或氢化物气相外延法(HVPE)进行设置。

4.一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器的制备方法，该方法用于制备如上述权利要求1所述的InGaN量子点光电探测器，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：在一衬底（1）上依次外延生长n型GaN层（2）、InGaN/GaN量子点结构层（3）和p型GaN层（4），其中InGaN/GaN量子点结构层（3）为(InGaN)n/(GaN)(n+1)的周期性结构，周期数n为1-20，每层InGaN量子点的厚度为1-5nm；

步骤二：通过光刻和干法刻蚀的方法去除部分的p型GaN层、InGaN/GaN量子点结构层和n型GaN层，使n型GaN层（2）露出表面（21）；

步骤三：在p型GaN（4）的表面（41）上制备p型GaN欧姆接触结构（6），并在n型GaN层（2）露出的表面（21）上制备n型GaN欧姆接触结构（7），即完成InGaN/GaN量子点光电探测器的制备。

5.根据权利要求4所述的用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器的制备方法，其特征在于：所述衬底（1）为蓝宝石衬底、SiC衬底、GaN衬底、AlN衬底或MoW衬底。

6.根据权利要求4所述的用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器的制备方法，其特征在于：上述步骤一中外延生长的方法为金属有机物化学气相衬底外延法（MOCVD）、分子束外延法(MBE)或氢化物气相外延法(HVPE)。