[发明专利]一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板有效
申请号: | 201710002753.X | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106783555B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 陈磊;董宜萍;安杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄志华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 图案 制作方法 阵列 | ||
本申请提供一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板,以解决现有技术在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时,多层膜层图案的制作效率较低的问题。所述制作方法包括:在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜;在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层;利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案;在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层;利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,其中,所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠;同时去除所述第二层光刻胶层和所述第一层光刻胶层。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板。
背景技术
液晶显示器,由于功耗很低,并且具有高画质、体积小、重量轻的特点,因此倍受大家青睐,成为当前显示器的主流。目前液晶显示器以薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)为主,其显示面板通常包括相对设置的彩膜基板、阵列基板以及设置于两基板之间的液晶层。
现有技术在制作阵列基板的栅极保护层图案和栅极保护层上的有源层图案时,通常是通过一次成膜,即,依次连续形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜。而在形成有源层的图案后,则将形成有源层图案时所使用的第一光刻胶层通过剥离工艺去除,接着,再在图案化后的有源层上形成制作栅极保护层图案的第二光刻胶层薄膜,再通过曝光、显影、刻蚀形成栅极保护层的图案,最后,将制作该栅极保护层图案的第二光刻胶层通过剥离工艺去除。即,现有技术在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时,例如,形成栅极保护层和有源层,通常都需要进行两次光刻胶的剥离工艺,存在多层膜层图案的制作效率较低的问题。
发明内容
本申请提供一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板,以解决现有技术中在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时,多层膜层图案的制作效率较低的问题。
本申请实施例提供一种多层膜层图案的制作方法,包括:
在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜;
在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层;
利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案;
在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层;
利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,其中,所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠;
同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层。
优选的,所述第一功能层为栅极保护层,所述第二功能层为有源层,在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜之前,所述制作方法还包括:
在衬底上形成栅极层的图案,其中,所述栅极层的图案包括栅电极以及用作信号线的信号电极;
所述在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜,具体包括:
在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜;
所述利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案,具体包括:
利用所述第一光刻胶层的遮挡,对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀,形成有源层图案;
所述利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,具体包括:
利用所述第二光刻胶层的遮挡,对所述栅极保护层薄膜的与所述信号电极对应的区域进行刻蚀,形成具有第一过孔的栅极保护层的图案。
优选的,所述在衬底上形成栅极层的图案,具体包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造