[发明专利]一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板有效
申请号: | 201710002753.X | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106783555B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 陈磊;董宜萍;安杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄志华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 图案 制作方法 阵列 | ||
1.一种多层膜层图案的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜;
在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层;
利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案;
在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层,所述第二光刻胶层同时与图案化后的所述第一光刻胶层、所述第一功能层薄膜面向所述第二功能膜层的部分表面接触;
利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,其中,所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠;
同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一功能层为栅极保护层,所述第二功能层为有源层,在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜之前,所述制作方法还包括:
在衬底上形成栅极层的图案,其中,所述栅极层的图案包括栅电极以及用作信号线的信号电极;
所述在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜,具体包括:
在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜;
所述利用所述第一光刻胶层的遮挡,形成第二功能层的图案,具体包括:
利用所述第一光刻胶层的遮挡,对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀,形成有源层图案;
所述利用所述第二光刻胶层的遮挡,形成第一功能层的图案,具体包括:
利用所述第二光刻胶层的遮挡,对所述栅极保护层薄膜的与所述信号电极对应的区域进行刻蚀,形成具有第一过孔的栅极保护层的图案。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底上形成栅极层的图案,具体包括:
在所述衬底上溅射形成栅极金属薄膜;
在所述栅极金属薄膜上形成第三光刻胶层薄膜,并形成具有第一遮挡部和第二遮挡部的第三光刻胶层的图案;
在所述第一遮挡部和所述第二遮挡部的遮挡下,对所述栅极金属薄膜刻蚀,形成具有与所述第一遮挡部对应的栅电极以及与所述第二遮挡部对应的信号电极的栅极层的图案;
去除所述第三光刻胶层。
4.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜以及有源层薄膜,具体包括:
通过化学气相沉积,在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜以及有源层薄膜。
5.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层,具体包括:
在所述有源层薄膜上涂覆第一光刻胶层薄膜;
对所述第一光刻胶层薄膜进行层曝光、显影,形成具有与所述栅电极对应的第三遮挡部的第一光刻胶层的图案。
6.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀,形成有源层图案,具体包括:
对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行干刻刻蚀,形成有源层图案。
7.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层,具体包括:
在所述第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层薄膜;
对所述第二光刻胶层薄膜进行曝光、显影,形成具有与所述信号电极对应的第二过孔的第二层光刻胶的图案。
8.如权利要求2-7任一项所述的制作方法,其特征在于,在同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层之后,所述制作方法还包括:
形成具有源极和漏极的源漏极层的图案,其中,所述源极与所述信号电极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造