[发明专利]用于印刷电子的组合物及其在电子器件中的应用

权利要求书

1.一种用于印刷电子的组合物，由至少一种功能材料和一种有机溶剂组成，所述有机溶剂为基于杂芳族且具有通式(I)的化合物：

其中，

n是大于或等于0的整数，

其特征在于，基于杂芳族且具有通式(I)的化合物选自如下结构：

其中，

X是CR¹或N；且至少有一个X是非C的原子；

所述R¹独立选自以下各项中的任一种：H，D，具有1至20个C原子的直链烷基，具有3至20个C原子的支链或环状的烷基或者是甲硅烷基基团，具有2至20个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至20个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团，氨基甲酰基基团，卤甲酰基基团，甲酰基基团，异氰基基团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF₃基团，Cl，Br，F，具有5至40个环原子的任选取代或未取代的芳族或杂芳族环系；

所述功能材料是量子点材料，量子点材料为一核壳结构，用于量子点核的材料选自ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si，及它们任意组合的合金或混合物；用于量子点壳的材料选自ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si，及它们任意组合的合金或混合物；

所述基于杂芳族且具有通式(I)的化合物的沸点≥150℃，且能够从溶剂体系中蒸发，以形成功能材料的薄膜。

2.根据权利要求1所述的用于印刷电子的组合物，其特征在于，其中所述基于杂芳族且具有通式(I)的化合物在25℃下的粘度在1cPs到100cPs的范围内。

3.根据权利要求1所述的用于印刷电子的组合物，其特征在于，所述基于杂芳族且具有通式(I)的化合物在25℃下的表面张力在19dyne/cm到50dyne/cm的范围内。

4.根据权利要求1所述的用于印刷电子的组合物，其特征在于：所述R1独立选自：H，D，具有1至20个C原子的直链烷基，具有3至20个C原子的支链或环状的烷基，具有5至40个环原子的任选取代或未取代的芳族或杂芳族环系。

5.根据权利要求1所述的用于印刷电子的组合物，其特征在于，所述基于杂芳族且具有通式(I)的化合物选自：喹啉或异喹啉。

6.根据权利要求1所述的用于印刷电子的组合物，其特征在于，所述功能材料占所述用于印刷电子的组合物的重量百分比为0.3％～30％，所述有机溶剂占所述用于印刷电子的组合物的重量百分比为70％～99.7％。

7.一种电子器件，其包含有由如权利要求1-6任一项所述的用于印刷电子的组合物印刷或涂布而成的功能层。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件选自以下任一种：量子点发光二极管、量子点光伏电池、量子点发光电池、量子点场效应管、量子点发光场效应管、量子点激光器、量子点传感器、有机发光二极管、有机光伏电池、有机发光电池、有机场效应管、有机发光场效应管、有机激光器或有机传感器。

9.一种功能材料薄膜的制备方法，包括：将根据权利要求1-6任一项所述的用于印刷电子的组合物，用印刷或涂布的方法铺设于基板上，其中所述印刷或涂布的方法选自以下任一种：喷墨打印、活版印刷、丝网印刷、浸涂、旋转涂布、刮刀涂布、辊筒印花、扭转辊印刷、平版印刷、柔版印刷、轮转印刷、喷涂、刷涂、移印，或狭缝型挤压式涂布。