[发明专利]发光器件以及用于制造发光器件的方法有效
申请号: | 201680054089.7 | 申请日: | 2016-09-08 |
公开(公告)号: | CN108028261B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 亚历山大·马丁;诺温·文马尔姆 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075;H01L25/16;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;支娜 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 以及 用于 制造 方法 | ||
提出一种器件,其包括至少一个光电子半导体芯片(42),所述光电子半导体芯片具有:联接衬底(4),所述联接衬底具有安装面(4a)和电接触结构;和‑多个结构化的半导体单元(2),所述半导体单元分别具有多个单块连贯的像元(21),所述像元分别具有有源层,所述有源层在运行时发射光,其中‑所述半导体单元(2)彼此横向间隔开地设置在安装面(4a)上,和相邻的半导体单元(2)的间距(d)为至少5μm和最多55μm,并且像元(21)可电学分离地操控。也提出一种用于制造所述器件的方法。
技术领域
提出一种器件以及一种用于制造器件的方法。
背景技术
参考文献DE 10 2011 056 888A1描述一种器件以及一种用于制造器件的方法。
发明内容
待实现的目的在于,提出一种制造成本降低的器件。此外应提出一种用于制造制造成本降低的器件的方法。
提出一种器件。该器件尤其设置用于发射光。例如,所述器件是光源。尤其,所述器件能够是前照灯,尤其是自适应性汽车前照灯(英语:Adaptive Front-lighting System,AFS)。
根据器件的至少一个实施形式,所述器件包括至少一个光电子半导体芯片,下面也称为“半导体芯片”。半导体芯片尤其设置用于发射光。例如,所述半导体芯片是像素化的发光二极管芯片。“像素化”在此和在下文中能够表示:发光二极管芯片具有多个尤其可电学分离地操控的像元。
根据至少一个实施形式,半导体芯片具有联接衬底。所述联接衬底包括安装面和电接触结构。电接触结构能够设置用于电接触半导体芯片。为此,电接触结构能够包括导电材料,例如金属,或者由这种材料构成。
联接衬底具有主延伸平面,所述联接衬底在所述主延伸平面中沿横向方向延伸。与所述主延伸平面垂直地,在竖直方向上,联接衬底具有厚度。所述联接衬底的厚度比联接衬底在横向方向上的最大延伸小。联接衬底的主平面形成安装面。
联接衬底能够构成为半导体芯片的进行机械稳定的部件。“机械稳定”在此和在下文中表示:通过壳体的进行稳定的部件改进对半导体芯片的机械操作并且由此例如较高的外力能够作用在半导体芯片上,而不损坏所述半导体芯片。尤其,半导体芯片能够通过联接衬底而是机械自承的,这意味着,半导体芯片例如在制造方法的范围中能够借助工具,即例如镊子进行操作,而不必存在另一支撑元件。
根据至少一个实施形式,半导体芯片包括多个结构化的半导体单元。每个半导体单元具有多个单块连贯的像元,所述像元分别具有源层,所述有源层在运行时发射光。像元尤其能够是像素,即是半导体单元的彼此分离的发射区域。每个像元能够具有背离联接衬底的光出射面。在此可行的是,由有源层发射的光通过光出射面从像元中耦合输出。
“单块连贯”在此和在下文中能够表示:像元由唯一的、尤其连贯地构成的半导体层序列形成。尤其,像元能够由单块的半导体层序列制成。例如可行的是,为了制造像元,首先将半导体层序列施加到生长衬底上并且借助于随后至少部分地分割半导体层序列来提供像元。
例如,形成具有n型传导的半导体层、有源的半导体层和p型传导的半导体层的半导体层序列。像元的有源层能够从有源的半导体层中产生。此外,像元能够分别具有p型传导的层和n型传导的层,所述p型传导的层和n型传导的层从p型传导的半导体层和n型传导的半导体层中产生。层从半导体层中“产生”在此和在下文中能够表示:层通过分割半导体层产生并且是半导体层的一部分。在此可行的是,借助于至少一个共同的半导体层将像元部分地相互连接,所述共同的半导体层能够为n型传导的或p型传导的半导体层。尤其,像元能够通过多个半导体层,例如n型传导的半导体层、p型传导的半导体层和有源层相互连接。
根据至少一个实施形式,半导体单元彼此横向间隔开地设置在安装面上。换言之,在半导体单元之间存在沟槽。尤其可行的是,相邻的半导体单元的像元不是单块连贯的和/或不借助于半导体材料相互连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的