[发明专利]阻变型存储器

说明书

根据一个实施例，存储器包括连接到所述存储器单元的位线；以及执行从所述存储器单元读取数据的读取电路。所述读取电路包括：第一电路，其具有第一输入端并检测来自所述存储器单元的输出信号；第一晶体管，其基于第一控制信号来控制提供给所述存储器单元的电流；以及第二晶体管。所述第一晶体管的一端连接到所述第一输入端，所述第一晶体管的另一端连接到所述第二晶体管的一端，所述第二晶体管的另一端连接到所述位线，以及在从所述存储器单元读取数据之前，对所述第一晶体管的一端和另一端充电。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年9月11日提交的美国临时申请62/217,680的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本实施例涉及阻变型存储器。

背景技术

近年来，作为下一代存储器装置的诸如MRAM的阻变型存储器受到了关注。

MRAM(磁阻随机存取存储器)是使用利用磁阻效应的元件作为存储器元件的存储器装置。

发明内容

通常，根据一个实施例，阻变型存储器包括存储器单元；连接到所述存储器单元的位线；以及执行从所述存储器单元读取数据的读取电路。所述读取电路包括：第一电路，其具有第一输入端并检测来自所述存储器单元的输出信号；第一晶体管，其基于第一控制信号来控制提供给所述存储器单元的电流；以及第二晶体管。所述第一晶体管的一端连接到所述第一输入端，所述第一晶体管的另一端连接到所述第二晶体管的一端，所述第二晶体管的另一端连接到所述位线，且在从所述存储器单元读取数据之前，所述第一晶体管的一端和另一端被充电。

附图说明

图1是示例出实施例中的阻变型存储器的结构示例的框图；

图2是示例出实施例中的阻变型存储器中的存储器单元阵列的结构示例的等效电路图；

图3是示例出实施例中的阻变型存储器中的存储器单元和写入电路的结构示例的等效电路图；

图4是示例出实施例中的阻变型存储器中的读取电路的基本结构的等效电路；

图5是示例出第一实施例中的阻变型存储器中的读取电路的内部结构示例的等效电路图；

图6是示例出第一实施例中的阻变型存储器的操作示例的时序(timing)图；

图7是示例出第一实施例中的阻变型存储器的操作示例的模拟结果的图；

图8是示出第二实施例中的阻变型存储器的结构示例的等效电路图；

图9是示例出第二实施例中的阻变型存储器的操作示例的模拟结果的图；

图10是示出第三实施例中的阻变型存储器的结构示例的等效电路图；以及

图11是示出实施例中的阻变型存储器的变型的图。

具体实施方式

以下将参照附图描述实施例。在下面的描述中，具有基本上相同的功能和结构的组件由相同的附图标记表示，并且仅在需要时才给出重复的描述。

对于在其末尾添加了字母或数字的组件，如果具有不同后缀的字母或数字的组成成员不相互区分，则省略附图标记末尾的字母或数字。

(1)第一实施例

将参考图1至7描述第一实施例中的阻变型存储器。

(a)结构示例

将参考图1至5描述第一实施例中的阻变型存储器的结构示例。

图1是示意性地示出包括本实施例中的阻变型存储器的存储器系统的示意图。