[发明专利]阻变型存储器

权利要求书

1.一种阻变型存储器，包括：

存储器单元；

连接到所述存储器单元的位线；以及

执行从所述存储器单元读取数据的读取电路；

其中，

所述读取电路包括：

第一电路，其具有第一输入端并检测来自所述存储器单元的输出信号；

第一晶体管，其基于第一控制信号来控制提供给所述存储器单元的电流；

第二晶体管；以及

第三晶体管，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一者连接到所述第一输入端，

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一者连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一者，

所述第二晶体管的源极和漏极中的另一者连接到所述位线，

在从所述存储器单元读取数据之前，对所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一者以及源极和漏极中的所述另一者都充电，

所述第三晶体管的源极和漏极中的一者连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述另一者，并且

所述第三晶体管的源极和漏极中的另一者连接到电源端。

2.根据权利要求1所述的阻变型存储器，其中，

在读取所述数据之前关断所述第二晶体管。

3.根据权利要求1所述的阻变型存储器，其中，

第二控制信号被提供给所述第二晶体管的栅极，以及

所述第二晶体管基于所述第二控制信号将所述存储器单元设置为使能从所述存储器单元读取数据的状态。

4.根据权利要求1所述的阻变型存储器，其中，

所述读取电路包括连接到所述第一晶体管的第二电路，并且

所述第二电路对所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一者以及源极和漏极中的所述另一者中的至少一者充电。

5.根据权利要求1所述的阻变型存储器，其中，

所述第二晶体管是第一导电类型的晶体管，以及所述第三晶体管是第二导电类型的晶体管，以及

第二控制信号被提供给所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极。

6.根据权利要求1所述的阻变型存储器，其中，

所述读取电路进一步包括第四晶体管，以及

所述第四晶体管的源极和漏极中的一者连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一者，并且所述第四晶体管的源极和漏极中的另一者连接到所述电源端，以及

第二控制信号被提供给所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极。

7.根据权利要求1所述的阻变型存储器，其中，

所述读取电路包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管，

所述第五晶体管的源极和漏极中的一者连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一者，

所述第五晶体管的源极和漏极中的另一者连接到所述第六晶体管的源极和漏极中的一者，

所述第六晶体管的源极和漏极中的另一者连接到所述第七晶体管的源极和漏极中的一者，

所述第七晶体管的源极和漏极中的另一者连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的所述另一者，

所述第八晶体管的源极和漏极中的一者连接到所述第六晶体管的源极和漏极中的所述另一者，

所述第八晶体管的源极和漏极中的另一者连接到接地端，

当所述第二晶体管关断时，所述第八晶体管接通，以及

所述第八晶体管将所述第六晶体管的源极和漏极中的所述另一者的电势设置为接地电势。

8.根据权利要求1所述的阻变型存储器，进一步包括：

执行到所述存储器单元的数据的写入的写入电路，

其中，

在所述数据的所述写入期间，所述第二晶体管将所述第一晶体管与所述写入电路电分离。

9.根据权利要求1所述的阻变型存储器，其中，

所述读取电路进一步包括第九晶体管，

所述第九晶体管的源极和漏极中的一者连接到所述第九晶体管的源极和漏极中的另一者，以及

所述第九晶体管的栅极连接到所述第一晶体管的栅极。