[发明专利]有机电子元件的制造方法及有机薄膜的形成方法

权利要求书

1.一种有机电子元件的制造方法，是具有有机功能层的有机电子元件的制造方法，该制造方法具备：

涂布膜形成工序，将包含具有交联性基团的材料的涂布液涂布于塑料基板上而形成涂布膜；以及

有机薄膜形成工序，利用向所述涂布膜的红外线的照射来加热所述涂布膜，使所述交联性基团交联，由此形成作为所述有机功能层的有机薄膜，

所述涂布膜在第一波长范围1.2μm～5.0μm的任意波长下具有吸收峰，

所述红外线是在所述第一波长范围的任意波长下具有波长范围1.2μm～10.0μm的最大发射强度、并且在所述第一波长范围中包含波长范围1.2μm～10.0μm的所述红外线的总发射能量的80％以上的红外线。

2.根据权利要求1所述的有机电子元件的制造方法，其中，

在构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱中，所述第一波长范围的积分值小于第二波长范围的积分值。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法，其中，

所述涂布膜还在第二波长范围的任意波长下具有吸收峰，

在所述红外线的发射光谱与所述涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中，所述第一波长范围的积分值大于所述第二波长范围的积分值。

4.根据权利要求3所述的有机电子元件的制造方法，其中，

在所述红外线的发射光谱与所述涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中，在将所述第一波长范围的积分值设为A1、将第二波长范围的积分值设为A2时，A1/(A1+A2)为0.6以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其中，

在所述有机薄膜形成工序中，利用所述红外线进行加热、并且利用不同于所述红外线的热源，加热所述涂布膜。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其中，

在所述有机薄膜形成工序中，以使所述塑料基板的温度为构成所述塑料基板的塑料材料的玻璃化转变温度以下的方式，加热所述塑料基板。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其中，

在所述塑料基板中在形成所述涂布膜的一侧的表面形成有阻挡层。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其中，

所述塑料基板具有挠曲性，

所述有机薄膜形成工序是在将从卷绕在卷出辊上的所述塑料基板中送出的所述塑料基板卷绕在卷绕辊上的过程中进行。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其中，

所述有机电子元件为有机电致发光元件、有机光电转换元件、或有机薄膜晶体管。

10.一种有机薄膜的形成方法，该形成方法具备：

涂布膜形成工序，将包含具有交联性基团的材料的涂布液涂布于塑料基板上而形成涂布膜；以及

有机薄膜形成工序，利用向所述涂布膜的红外线的照射来加热所述涂布膜，使所述交联性基团交联，由此形成有机薄膜，

所述涂布膜在第一波长范围1.2μm～5.0μm的任意波长下具有吸收峰，

所述红外线是在所述第一波长范围的任意波长下具有波长范围1.2μm～10.0μm的最大发射强度、并且在所述第一波长范围中包含波长范围1.2μm～10.0μm的所述红外线的总发射能量的80％以上的红外线。

11.根据权利要求10所述的有机薄膜的形成方法，其中，

在构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱中，所述第一波长范围的积分值小于第二波长范围的积分值。

12.根据权利要求10或11所述的有机薄膜的形成方法，其中，

所述涂布膜还在第二波长范围的任意波长下具有吸收峰，

在所述红外线的发射光谱与所述涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中，所述第一波长范围的积分值大于所述第二波长范围的积分值。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的有机薄膜的形成方法，其中，

在所述红外线的发射光谱与所述涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中，在将所述第一波长范围的积分值设为A1、将第二波长范围的积分值设为A2时，A1/(A1+A2)为0.6以上。