[发明专利]用于探测电磁辐射的构件

说明书

技术领域

本发明涉及用于探测电磁辐射的构件，利用所述构件不仅可以实现多光谱传感器而且可以实现传感器-发射器系统。多光谱传感器应该被理解为如下构件，利用所述构件可以探测来自两个不同的波长范围的电磁辐射，而且传感器-发射器系统应该被理解为如下构件，所述构件不仅包括至少一个探测电磁辐射的元件而且包括至少一个发射电磁辐射的元件。

背景技术

DE 10 2006 030 541 A1描述了一种传感器-发射器系统，其中发射电磁辐射的元件和探测电磁辐射的元件共同并排地处在芯片上。在此，两种元件类型可以以矩阵形式布置在所述芯片上。在这种情况下起不利的作用的是：发射电磁辐射的元件与探测电磁辐射的元件的直接相邻的布置导致过临界耦合。

由WO 2012/163312 A1公知双向显示器，在所述双向显示器上以阵列的形式布置有多个产生光的图像元件和多个检测光的元件。在此，所述产生光的图像元件例如可以全部充当显示器的显示面，而所述检测光的元件例如可以全部充当摄像机的传感器。WO 2012/163312 A1还描述了所述元件的不同的操控变型方案，所述操纵变型方案应该解决产生光的图像元件到相邻的检测光的元件上的直接串扰的问题，其方式是所述产生光的图像元件和相邻的检测光的元件相继被操控。由此，产生光的图像元件和相邻的检测光的元件只是交替地相继活跃地有效。

如果双向装置的产生光的图像元件充当显示器，那么在WO 2012/163312 A1中公开的操控变型方案紧靠彼此的边界。尤其是在检测光的元件（所述检测光的元件对于良好的信号质量来说需要确定的长度）的曝光时间期间所述产生光的图像元件的不活跃性可能导致可察觉的图像干扰，但是至少可能导致可见的亮度损失。探测元件的灵敏度又不可能任意地被提高，因为在显示器应用的情况下需要越来越高的分辨率，其中所使用的芯片表面出于成本原因应该保持得尽可能低，使得借此用于探测元件的空间或用于提高所述探测元件的灵敏度的电路技术措施强烈地被限制。

公知的传感器-发射器系统（其中并排地布置有探测辐射的元件和发射辐射的元件）的另一问题是关于两种功能的微小的充填度（Füllgrad）。也就是说，不仅对于探测辐射来说而且对于发射辐射来说，只提供这种传感器-发射器系统的相对小的表面区域，因为其它表面区域通过相应其它功能的元件或通过对于元件的布线所需的表面区域来覆盖。

发明内容

因而，本发明所基于的技术问题在于提供一种构件，利用所述构件可以克服来自现有技术的缺点。尤其是，利用按照本发明的构件应该可以实现多光谱传感器，借助于所述多光谱传感器能探测不同的波长范围的电磁辐射，而且可以实现传感器-发射器系统，所述传感器-发射器系统关于探测电磁辐射的功能以及关于发射电磁辐射的功能具有高的充填度。

通过具有专利权利要求1的特征的主题得到所述技术问题的解决方案。本发明的其它有利的设计方案从从属权利要求中得到。

在按照本发明的构件中，实现探测或发射电磁辐射的功能的元件并不并排地布置在一个层之内，而是对于所有实现同一功能的元件来说，分别构造有一个单独的功能层，其中各个功能层重叠地来布置。以这种方式，针对实现功能的元件可以获得相对于现有技术被提高的充填度。