[发明专利]用于探测电磁辐射的构件在审
| 申请号: | 201680033490.2 | 申请日: | 2016-06-07 |
| 公开(公告)号: | CN107980175A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
| 发明(设计)人: | B.里希特;P.瓦尔滕贝格;K.费泽;M.雅内尔 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/28;H01L31/101;H01L31/12 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 臧永杰,刘春元 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 探测 电磁辐射 构件 | ||
1.一种构件(10;30),其包括第一功能层(12;32),在所述第一功能层之内构造有至少一个第一元件,借助于所述第一元件能探测来自第一波长范围的电磁辐射(14;34),其中所述第一功能层(12;32)沉积在衬底(11;31)的一侧上,其特征在于,在所述衬底(11;31)的对置的一侧上沉积有第二功能层(13;33),在所述第二功能层之内构造有至少一个第二元件,借助于所述第二元件,要么
a) 能探测来自第二波长范围的电磁辐射(15),其中所述第一功能层(12)和所述衬底(11)关于来自所述第二波长范围的电磁辐射(15)是透明的,
要么
b) 能发射来自第二波长范围的电磁辐射(35)。
2.根据权利要求1所述的构件,其特征在于,所述第一波长范围不同于所述第二波长范围。
3.根据权利要求1或2所述的构件,其特征在于,所述衬底被构造为玻璃衬底或塑料衬底。
4.根据权利要求1或2所述的构件,其特征在于,所述衬底(11;31)由半导体材料组成而且包括由有源器件构成的电路结构。
5.根据上述权利要求之一所述的构件,其特征在于,所述衬底(11;31)包括至少一个布线平面。
6.根据上述权利要求之一所述的构件,其特征在于,所述衬底(11;31)具有至少一个贯通接触部。
7.根据上述权利要求之一所述的构件,其特征在于,在所述衬底(11;31)之内构造有至少一个第三元件,借助于所述第三元件能探测来自第三波长范围的电磁辐射(26;46)。
8.根据权利要求7所述的构件,其特征在于,所述第三波长范围不同于所述第一和第二波长范围,并且所述第一功能层(12;32)关于来自所述第三波长范围的电磁辐射是透明的。
9.根据上述权利要求之一所述的构件,其特征在于,在所述第一功能层(12;32)之内、在所述第二功能层(13;33)之内和/或在所述衬底(11;31)之内构造有大量分别附属的第一元件、第二元件或第三元件,所述第一元件、第二元件或第三元件光栅形地以分布到相应的功能层(12;13;32;33)上或到所述衬底(11;31)的表面上的方式来布置。
10.根据上述权利要求之一所述的构件,其特征在于,所述第一功能层(12;32)和/或所述第二功能层(13;33)包括一种有机材料。
11.根据权利要求10所述的构件,其特征在于,所述第一功能层和/或所述第二功能层包括纳米颗粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





