[发明专利]高RI硅氧烷单体、其聚合和应用有效
申请号: | 201680028002.9 | 申请日: | 2016-03-21 |
公开(公告)号: | CN107873033B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 杰里·波拉萨里;尤哈·兰塔拉 | 申请(专利权)人: | 英克伦股份有限公司 |
主分类号: | C07F7/08 | 分类号: | C07F7/08;C07F7/18;C08G77/12;C08G77/20;C08L83/06;C09D183/08;C08G77/00;C08K5/56;H01L23/29;H01L27/146;H01L33/56;H01L51/50 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈伟 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ri 硅氧烷 单体 聚合 应用 | ||
苯氧基苯基硅烷单体的合成和聚合。该聚合物具有高折射率和优异的UV和热稳定性。它们的水和氧气渗透性比商业苯基硅氧烷弹性体低。它们与金属氧化物纳米颗粒显示良好的相容性。本发明的聚合物适合作为LED封装剂,在CMOS图像传感器中,在OLED器件、激光器和其他光学领域中的光导材料。(p‑Ph‑O‑Ph)2Si(X)2 I p‑PhOPh‑Si(X)3 IIa p‑PhOPhOPh‑Si(X)3 IIb PhOPhOPh‑Si(X)3 IIc。
技术领域
本发明涉及硅烷单体。特别地,本发明涉及高RI的硅氧烷单体、合成这种单体的方法和单体的聚合以产生高折射率和优异稳定性和良好水氧阻隔性的聚合物。
背景技术
照明行业正在迅速转向LED照明系统。典型LED的效率和功率输出已迅速上升。环氧化合物传统上被用作封装剂,但传统材料不能再处理最先进的LED产生的强光通量和热量。作为用于电子器件的已知封装材料的二甲基硅氧烷(PDMS),由于比环氧化合物更耐用、更耐黄,近来越来越多地用作LED的封装剂。
就涉及二甲基硅氧烷的使用而言,参考美国专利说明书No.4,278,784、No.6,492,204和No.6,806,509。
然而,相比于LED芯片(“epi”,例如InGaN,RI~2.5)以及白光LED中使用的许多发光材料(例如钇铝石榴石,“YAG”,RI~1.85),PDMS具有相对较低的折射率(RI~1.4)。这种折射率不匹配产生内部反射,降低了器件的光输出和效率。用较高RI的苯基硅氧烷(RI~1.50-1.55)代替PDMS稍微改善了这种情况,但仍然需要更高RI的材料,能够承受LED内部的条件而不发黄,并且适用于LED制造。
发明内容
技术问题
本发明的目的是消除与已知解决方法有关的至少一部分问题,并提供具有高折射率和优异稳定性的新型聚合物材料。
本发明的另一个目的是提供新型单体。
本发明的第三个目的是提供由单体生产聚合物的方法。
本发明的第四个目的是提供新型聚合物材料的应用。
技术问题的解决方法
关于本发明,令人惊讶地发现,苯氧基苯基硅烷和双-苯氧基苯基硅烷是适用于例如用作LED封装剂的聚合物的优良单体。
本发明提供了具有下式的硅氧烷单体
(p-Ph-O-Ph)2Si(X)2 I
其中,
每个X为独立地选自氢和任选地含有烷氧基取代基的低级烷氧基、卤素、羟基或-OSiMe3的可水解基团。
本发明还提供了具有下式的硅氧烷单体
p-(PhO)yPh-Si(X)3 II
其中,
每个X为独立地选自氢和任选地含有烷氧基取代基的低级烷氧基、卤素、羟基或-OSiMe3的可水解基团,且y为1或2。
由苯氧基苯基硅烷和/或双-苯氧基苯基硅烷衍生的聚合物。
更具体地说,根据本发明所述的单体的特征在于权利要求1、2、3和4中所述的内容。
从单体获得的聚合物的特征在于权利要求6的特征部分所述的内容。
所述聚合物的应用的特征在于权利要求15-18中所述的内容。
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