[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型宽带隙半导体基板，包括带隙比硅宽的半导体；

第一导电型宽带隙半导体沉积层，沉积于所述第一导电型宽带隙半导体基板的正面，且与所述第一导电型宽带隙半导体基板相比杂质浓度低；

第二导电型半导体区，选择性地设置在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层的、与所述第一导电型宽带隙半导体基板侧相反一侧的表面层；

第二导电型宽带隙半导体层，设置在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层和所述第二导电型半导体区的表面，且包括带隙比硅宽的半导体；

第一个第一导电型区，选择性地设置在所述第二导电型宽带隙半导体层内的、所述第一导电型宽带隙半导体沉积层上的部分；

第二个第一导电型区，选择性地设置在所述第二导电型宽带隙半导体层内；

栅电极，隔着栅极绝缘膜设置在所述第二个第一导电型区和所述第一个第一导电型区之上；

源电极，与所述第二导电型宽带隙半导体层和所述第二个第一导电型区接触；

层间绝缘膜，覆盖所述栅电极；

漏电极，设置在所述第一导电型宽带隙半导体基板的背面；

保护膜，选择性地设置在所述源电极上；

镀覆膜，选择性地设置在所述源电极上的未设置有所述保护膜的部分；以及

销状电极，隔着焊料与所述镀覆膜连接，并将信号引出到外部，

其中，在所述镀覆膜与所述保护膜与所述源电极相互接触的三重点部分的正下方未设置有沟道。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述三重点部分的正下方未设置有所述沟道是指：在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层的表面层设置有所述第二导电型半导体区，在所述第二导电型宽带隙半导体层内设置有所述第一个第一导电型区，在所述第二导电型宽带隙半导体层内未设置有所述第二个第一导电型区。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在包括带隙比硅宽的半导体的第一导电型宽带隙半导体基板的正面，形成与所述第一导电型宽带隙半导体基板相比杂质浓度低的第一导电型宽带隙半导体沉积层的工序；

在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层的表面层，选择性地形成第二导电型半导体区的工序；

在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层的表面，形成包括带隙比硅宽的半导体的第二导电型宽带隙半导体层的工序；

在所述第二导电型宽带隙半导体层的内部的、所述第一导电型宽带隙半导体沉积层上的部分选择性地形成第一个第一导电型区的工序；

在所述第二导电型宽带隙半导体层的内部选择性地形成第二个第一导电型区的工序；

隔着栅极绝缘膜在所述第二个第一导电型区和所述第一个第一导电型区之上形成栅电极的工序；

形成与所述第二导电型宽带隙半导体层和所述第二个第一导电型区接触的源电极的工序；

形成覆盖所述栅电极的层间绝缘膜的工序；

在所述第一导电型宽带隙半导体基板的背面形成漏电极的工序；

在所述源电极上选择性地形成保护膜的工序；

在所述源电极上的未形成有所述保护膜的部分选择性地形成镀覆膜的工序；以及

形成隔着焊料与所述镀覆膜连接并将信号引出到外部的销状电极的工序，

其中，在选择性地形成所述第二个第一导电型区的工序中，在所述镀覆膜与所述保护膜与所述源电极相互接触的三重点部分的正下方不形成沟道。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在选择性地形成所述第二个第一导电型区的工序中，在所述三重点部分的正下方不形成所述沟道是指：在所述第一导电型宽带隙半导体沉积层的表面层形成所述第二导电型半导体区，在所述第二导电型宽带隙半导体层内形成所述第一个第一导电型区，在所述第二导电型宽带隙半导体层内不形成所述第二个第一导电型区。