[发明专利]p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.p型杂质扩散组合物，其包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂，所述(C)有机溶剂含有(C1)环状酯系溶剂，

所述(B)含羟基的高分子含有(B1)聚乙烯醇树脂及(B2)聚环氧乙烷，以质量比率计，所述(B1)聚乙烯醇树脂与所述(B2)聚环氧乙烷的含有比率为(B1):(B2)＝60:40～30:70，

所述(C)有机溶剂中的(C1)环状酯系溶剂的含量为70～100质量％，

(C1)环状酯系溶剂为γ-丁内酯。

2.如权利要求1所述的杂质扩散组合物，所述杂质扩散组合物的粘度为3000～15000mPa·s，触变指数(2rpm/20rpm)为1.1～1.7。

3.如权利要求1或2所述的p型杂质扩散组合物，其中，(A)第13族元素化合物含有选自氧化硼或硼酸中的至少一者。

4.半导体元件的制造方法，其包括下述工序：

将权利要求1～3中任一项所述的p型杂质扩散组合物涂布在半导体衬底上，从而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；和

使p型杂质从所述p型杂质扩散组合物膜扩散至所述半导体衬底，从而在所述半导体衬底中形成p型杂质扩散层的工序。

5.半导体元件的制造方法，其包括下述工序：

将权利要求1～3中任一项所述的p型杂质扩散组合物涂布在半导体衬底的一部分上，从而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；和

在含有p型杂质的气氛下同时对所述p型杂质扩散组合物膜进行加热，由此使p型杂质扩散至所述半导体衬底，从而在所述半导体衬底中形成高浓度p型杂质扩散层区域和低浓度p型杂质扩散层区域的工序。

6.半导体元件的制造方法，其包括下述工序：

将权利要求1～3中任一项所述的p型杂质扩散组合物涂布在半导体衬底上，从而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；

将n型杂质扩散组合物涂布在所述半导体衬底上，从而形成n型杂质扩散组合物膜的工序；和

同时对所述p型杂质扩散组合物膜和所述n型杂质扩散组合物膜进行加热，由此在所述半导体衬底中形成p型杂质扩散层和n型杂质扩散层的工序。

7.半导体元件的制造方法，其包括下述工序：

将权利要求1～3中任一项所述的p型杂质扩散组合物涂布在半导体衬底的一面上，从而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；和

使p型杂质从所述p型杂质扩散组合物扩散至所述半导体衬底从而在所述半导体衬底中形成p型杂质扩散层，然后在不除去p型杂质扩散组合物膜的情况下使n型杂质扩散成分扩散至所述半导体衬底的另一面的工序。

8.如权利要求4～7中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，将p型杂质扩散组合物涂布在半导体衬底上的方法为丝网印刷。

9.太阳能电池，其含有利用权利要求4～8中任一项所述的制造方法得到的半导体元件。

10.太阳能电池的制造方法，其包括权利要求4～8中任一项所述的制造方法。