[实用新型]一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置有效
| 申请号： | 201621396559.1 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN206624942U | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;李加林;高超;宋生 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250000 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 物理 输运 生长 碳化硅 晶体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置，包括坩埚(1)，坩埚(1)上设有坩埚盖(2)，坩埚盖(2)下部设有籽晶托(3)，籽晶托(3)上粘有籽晶(4)，其特征在于：坩埚(1)内壁设有定位块(5)，定位块(5)上依次设有石墨滤网(6)和导流罩(7)；所述的石墨滤网(6)的外径与坩埚(1)内径相适应；所述的石墨滤网(6)上表面和下表面均涂有耐高温金属化合物涂层；所述的导流罩(7)为圆台状筒体，导流罩(7)顶部尺寸与籽晶(4)尺寸相匹配，导流罩(7)底部尺寸与石墨滤网(6)外径相匹配；所述的籽晶托(3)为真空结构。
2.根据权利要求1所述的一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于：所述的石墨滤网(6)至少有一级。
3.根据权利要求1所述的一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于：所述的石墨滤网(6)的孔径小于10微米。
4.根据权利要求1所述的一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于：所述的坩埚(1)内底部均匀设有导热片(8)。
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