[实用新型]一种具有减反射能力的单晶硅片有效
申请号: | 201621366822.2 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN206259360U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04 |
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地址: | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 反射 能力 单晶硅 | ||
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片技术领域,尤其涉及一种具有减反射能力的单晶硅片。
背景技术
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
随着太阳能电池市场的快速成长,太阳能电池板主要由晶体硅片制作而成,目前全球95%以上的晶硅电池采用P型掺硼晶硅制作,而单晶硅片自身对光线有反射,严重影响了单晶硅片的电性能。因此降低单晶硅片对光线反射是必须解决的难题,为此我们提出一种具有减反射能力的单晶硅片。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种具有减反射能力的单晶硅片。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
设计一种具有减反射能力的单晶硅片,包括硅片本体,硅片本体的四角设为圆弧倒角,所述硅片本体的正面设置有高折射率介质膜,所述高折射率介质膜的上表面设置有低折射率介质膜,所述低折射率介质膜的上部设置有反射层,所述反射层内设置有第一压花玻璃和第二压花玻璃,所述第一压花玻璃和第二压花玻璃的透光面向上,所述第一压花玻璃与第二压花玻璃之间的夹角为90度,所述反射层的上部设置有玻璃半球,所述硅片本体中均匀掺杂分布有镓粒,所述硅片本体的背面设置有吸光层。
优选的,所述玻璃半球的厚度为0.3-0.5 纳米,且玻璃半球等距离排列在反射层的上表面。
优选的,所述吸光层为黑色吸光板。
优选的,所述反射层与低折射率介质膜之间设置有PVB胶膜。
本实用新型提出的一种具有减反射能力的单晶硅片,有益效果在于:同时单晶硅片本体内加入镓粒,消除单晶硅片的光衰,增强单晶硅片的吸光效果,通过在反光层设置玻璃半球,增强光照效果,提高透光率,通过利用压花玻璃一面透光一面不透光原理,通过压花玻璃的压花面将硅片本体的反射光反射到单晶硅片内,有效地较少单晶硅片对光的反射能力,而在硅片本体上设置高折射率介质膜和低折射率介质膜进一步降低了硅片本体对光的反射能力,本实用新型提高了单晶硅片吸光能力,还能够有效地减少单晶硅片自身的反射。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种具有减反射能力的单晶硅片的结构示意图;
图2为本实用新型提出的一种具有减反射能力的单晶硅片的结构剖视图。
图中:硅片本体1、玻璃半球2、反射层3、镓粒4、吸光层5、高折射率介质膜6、低折射率介质膜7、第一压花玻璃8、第二压花玻璃9。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种具有减反射能力的单晶硅片,包括硅片本体1,硅片本体 1 的四角设为圆弧倒角,所述硅片本体1的正面设置有高折射率介质膜6,所述高折射率介质膜6的上表面设置有低折射率介质膜7,所述低折射率介质膜7的上部设置有反射层3,所述反射层3与低折射率介质膜7之间设置有PVB胶膜,所述反射层3内设置有第一压花玻璃8和第二压花玻璃9,所述第一压花玻璃8和第二压花玻璃9的透光面向上,所述第一压花玻璃8与第二压花玻璃9之间的夹角为90度,所述反射层3的上部设置有玻璃半球2,所述玻璃半球2的厚度为0.3-0.5 纳米,且玻璃半球2等距离排列在反射层3的上表面,增强光照强度,所述硅片本体1中均匀掺杂分布有镓粒4,所述硅片本体1的背面设置有吸光层5,所述吸光层5为黑色吸光板,增强吸光效果。
工作流程:当光对单晶硅片进行照射时,首先玻璃半球2对光线进行折射,增强光照强度,折射后光线进入反射层3,经过压花玻璃进入低折射率介质膜7,在通过高折射率介质膜6进入硅片本体1内,而硅片本体1内的镓粒4,能够消除单晶硅片的光衰,当硅片本体1对环形进行反射时,反射光先进入高折射率介质膜6和低折射率介质膜7,高折射率介质膜6和低折射率介质膜7将光线在此反射到硅片本体1内,当硅片本体1反射的光线穿透高折射率介质膜6和低折射率介质膜7进入反射层3时,反射层3内的第一压花玻璃8与第二压花玻璃9再次将管线反射到硅片本体1内。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的