[实用新型]一种具有减反射能力的单晶硅片有效
申请号: | 201621366822.2 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN206259360U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04 |
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地址: | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 反射 能力 单晶硅 | ||
1.一种具有减反射能力的单晶硅片,包括硅片本体(1),硅片本体 1 的四角设为圆弧倒角,其特征在于:所述硅片本体(1)的正面设置有高折射率介质膜(6),所述高折射率介质膜(6)的上表面设置有低折射率介质膜(7),所述低折射率介质膜(7)的上部设置有反射层(3),所述反射层(3)内设置有第一压花玻璃(8)和第二压花玻璃(9),所述第一压花玻璃(8)和第二压花玻璃(9)的透光面向上,所述第一压花玻璃(8)与第二压花玻璃(9)之间的夹角为90度,所述反射层(3)的上部设置有玻璃半球(2),所述硅片本体(1)中均匀掺杂分布有镓粒(4),所述硅片本体(1)的背面设置有吸光层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种具有减反射能力的单晶硅片,其特征在于:所述玻璃半球(2)的厚度为0.3-0.5 纳米,且玻璃半球(2)等距离排列在反射层(3)的上表面。
3.根据权利要求1所述的一种具有减反射能力的单晶硅片,其特征在于:所述吸光层(5)为黑色吸光板。
4.根据权利要求1所述的一种具有减反射能力的单晶硅片,其特征在于:所述反射层(3)与低折射率介质膜(7)之间设置有PVB胶膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的